STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 6 A 80 V, 3 Ben, TO-220FP, STF
- RS-varenummer:
- 330-464
- Producentens varenummer:
- STF80N900K6
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 610,35
(ekskl. moms)
Kr. 762,95
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 1.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 450 | Kr. 12,207 | Kr. 610,35 |
| 500 + | Kr. 11,598 | Kr. 579,90 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 330-464
- Producentens varenummer:
- STF80N900K6
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 6A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Serie | STF | |
| Emballagetype | TO-220FP | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 900mΩ | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 21.5W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 7nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 30.6mm | |
| Højde | 4.6mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 6A | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Serie STF | ||
Emballagetype TO-220FP | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 900mΩ | ||
Effektafsættelse maks. Pd 21.5W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 7nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 30.6mm | ||
Højde 4.6mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
RoHS Status: Undtaget
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics højspændings N-kanal Power MOSFET er designet ved hjælp af den ultimative MDmesh K6-teknologi baseret på 20 års STMicroelectronics-erfaring med super junction-teknologi. Resultatet er den bedste modstand ved tænding pr. område og gate-opladning til anvendelser, der kræver fremragende effekttæthed og høj effektivitet.
Ultra lav gate-ladning
Zener-beskyttet
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 6 A 80 V TO-220FP, STF
- STMicroelectronics Type N-Kanal 12 A 800 V TO-220FP, STF
- STMicroelectronics Type N-Kanal 7 A 800 V TO-220FP, STF
- STMicroelectronics Type N-Kanal 10 A 800 V TO-220FP, STF
- STMicroelectronics Type N-Kanal 5 A 800 V TO-220FP, STF
- STMicroelectronics Type N-Kanal 16 A 800 V TO-220FP, STF
- STMicroelectronics N-Kanal 6 A 600 V TO-220FP SuperMESH STP6NK60ZFP
- STMicroelectronics Type N-Kanal 11 A 600 V Forbedring TO-220FP, MDmesh