STMicroelectronics Type N-Kanal, STripFET F8 Power MOSFET, 154 A 40 V, 8 Ben, PowerFLAT, STL AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 330-570
- Producentens varenummer:
- STL165N4F8AG
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 11,52
(ekskl. moms)
Kr. 14,40
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 3.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 11,52 |
| 10 - 99 | Kr. 10,40 |
| 100 - 499 | Kr. 9,50 |
| 500 - 999 | Kr. 8,83 |
| 1000 + | Kr. 8,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 330-570
- Producentens varenummer:
- STL165N4F8AG
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | STripFET F8 Power MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 154A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | PowerFLAT | |
| Serie | STL | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2.6mΩ | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 28nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 111W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 6.4mm | |
| Højde | 1mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype STripFET F8 Power MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 154A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype PowerFLAT | ||
Serie STL | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2.6mΩ | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 28nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 111W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 6.4mm | ||
Højde 1mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
RoHS Status: Undtaget
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics N-kanals Power MOSFET i forbedringstilstand designet i STripFET F8-teknologi med en forbedret trench gate-struktur. Den leverer en state-of-the-art værdi med meget lav on-state modstand, reducerede interne kapacitanser og gate-ladning, hvilket muliggør hurtigere og mere effektiv switching.
100% lavine testet
Lav gate-ladning Qg