STMicroelectronics Type N-Kanal, STripFET F8 Power MOSFET, 154 A 40 V, 8 Ben, PowerFLAT, STL AEC-Q101 STL165N4F8AG
- RS-varenummer:
- 330-570
- Producentens varenummer:
- STL165N4F8AG
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 12,94
(ekskl. moms)
Kr. 16,18
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 3.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 12,94 |
| 10 - 99 | Kr. 11,67 |
| 100 - 499 | Kr. 10,70 |
| 500 - 999 | Kr. 9,87 |
| 1000 + | Kr. 9,05 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 330-570
- Producentens varenummer:
- STL165N4F8AG
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | STripFET F8 Power MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 154A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | PowerFLAT | |
| Serie | STL | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2.6mΩ | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 111W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 28nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 1mm | |
| Længde | 6.4mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 5.2 mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype STripFET F8 Power MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 154A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype PowerFLAT | ||
Serie STL | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2.6mΩ | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 111W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 28nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 1mm | ||
Længde 6.4mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 5.2 mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
RoHS Status: Undtaget
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics N-kanals Power MOSFET i forbedringstilstand designet i STripFET F8-teknologi med en forbedret trench gate-struktur. Den leverer en state-of-the-art værdi med meget lav on-state modstand, reducerede interne kapacitanser og gate-ladning, hvilket muliggør hurtigere og mere effektiv switching.
100% lavine testet
Lav gate-ladning Qg
Relaterede links
- STMicroelectronics N-Kanal 154 A 40 V PowerFLAT 5x6, STL STL160N4F8
- STMicroelectronics N-Kanal 350 A 40 V PowerFLAT 5x6, STL STL320N4F8
- STMicroelectronics N-Kanal 350 A 40 V PowerFLAT 5x6, STL STL325N4F8AG
- STMicroelectronics N-Kanal 167 A 40 V PowerFLAT 5x6, STL STL170N4LF8
- STMicroelectronics N-Kanal 290 A 40 V PowerFLAT 5x6, STL STL300N4F8
- STMicroelectronics N-Kanal 290 A 40 V PowerFLAT 5x6, STL STL305N4F8AG
- STMicroelectronics N-Kanal 167 A 40 V PowerFLAT 5x6, STL STL145N4LF8AG
- STMicroelectronics N-Kanal 305 A 40 V PowerFLAT 5x6, STL STL305N4LF8AG
