Microchip Type P-Kanal, MOSFET 60 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, TP0610T
- RS-varenummer:
- 333-219
- Producentens varenummer:
- TP0610T-G
- Brand:
- Microchip
Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 13.515,00
(ekskl. moms)
Kr. 16.893,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Nyt produkt - forudbestil i dag
- Afsendelse fra 04. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | Kr. 4,505 | Kr. 13.515,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 333-219
- Producentens varenummer:
- TP0610T-G
- Brand:
- Microchip
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Microchip | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | TP0610T | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Microchip | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie TP0610T | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Kanalform Forbedring | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Microchip MOSFET er en lav tærskel, enhancement mode-transistor, der anvender en vertikal DMOS-struktur og en velafprøvet fremstillingsproces med siliciumgate. Denne kombination frembringer en enhed med effekthåndteringsmulighederne for bipolære transistorer og den høje indgangsimpedans og positive temperaturkoefficient, der er iboende i MOS-enheder. Karakteristisk for alle MOS-strukturer er, at denne enhed er fri for termisk runaway og termisk induceret sekundær nedbrydning. Vertikale DMOS FET'er er ideelt egnede til en lang række koblings- og forstærkningsapplikationer, hvor der ønskes meget lav tærskelspænding, høj nedbrydningsspænding, høj indgangsimpedans, lav indgangskapacitans og hurtige koblingshastigheder.
Lav tærskel
Høj indgangsimpedans
Lav indgangskapacitans
Hurtige skiftehastigheder
Lav modstand ved tændt
Fri for sekundær nedbrydning
Lav indgangs- og udgangslækage