Microchip Type P-Kanal, MOSFET 60 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, TP0610T Nej TP0610T-G

Microchip MOSFET er en lav tærskel, enhancement mode-transistor, der anvender en vertikal DMOS-struktur og en velafprøvet fremstillingsproces med siliciumgate. Denne kombination frembringer en enhed med effekthåndteringsmulighederne for bipolære transistorer og den høje indgangsimpedans og positive temperaturkoefficient, der er iboende i MOS-enheder. Karakteristisk for alle MOS-strukturer er, at denne enhed er fri for termisk runaway og termisk induceret sekundær nedbrydning. Vertikale DMOS FET'er er ideelt egnede til en lang række koblings- og forstærkningsapplikationer, hvor der ønskes meget lav tærskelspænding, høj nedbrydningsspænding, høj indgangsimpedans, lav indgangskapacitans og hurtige koblingshastigheder.

Lav tærskel