onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 126 A 25 V Forbedring, 8 Ben, PQFN-8, PowerTrench Power Clip

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 bånd af 5 enheder)*

Kr. 75,32

(ekskl. moms)

Kr. 94,15

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 3.000 enhed(er) afsendes fra 20. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr bånd*
5 - 45Kr. 15,064Kr. 75,32
50 - 95Kr. 14,286Kr. 71,43
100 - 495Kr. 13,224Kr. 66,12
500 - 995Kr. 12,192Kr. 60,96
1000 +Kr. 11,728Kr. 58,64

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
333-403
Producentens varenummer:
NTTFD1D8N02P1E
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

126A

Drain source spænding maks. Vds

25V

Emballagetype

PQFN-8

Serie

PowerTrench Power Clip

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

5.3mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

36W

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Portkildespænding maks.

16 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

37.5nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

3.3 mm

Standarder/godkendelser

RoHS, Pb-Free

Længde

3.3mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
PH
ON Semiconductor Power MOSFET er optimeret til lavspændingsapplikationer og tilbyder høj effektivitet og minimale ledningstab. Med sin DSC-6-pakke giver den fremragende termisk ydeevne og pladsbesparende fordele for moderne elektroniske designs. Denne enhed sikrer pålidelig drift med lav R DS(on) og robust strømhåndtering.

Lille fodaftryk til kompakt design

Lav QG og kapacitans for at minimere driverens tab

Pb-fri

I overensstemmelse med RoHS

Relaterede links

Recently viewed