onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 126 A 25 V Forbedring, 8 Ben, PQFN-8, PowerTrench Power Clip
- RS-varenummer:
- 333-403
- Producentens varenummer:
- NTTFD1D8N02P1E
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 bånd af 5 enheder)*
Kr. 75,85
(ekskl. moms)
Kr. 94,80
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 3.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr bånd* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 15,17 | Kr. 75,85 |
| 50 - 95 | Kr. 14,376 | Kr. 71,88 |
| 100 - 495 | Kr. 13,314 | Kr. 66,57 |
| 500 - 995 | Kr. 12,282 | Kr. 61,41 |
| 1000 + | Kr. 11,818 | Kr. 59,09 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 333-403
- Producentens varenummer:
- NTTFD1D8N02P1E
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 126A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 25V | |
| Serie | PowerTrench Power Clip | |
| Emballagetype | PQFN-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 5.3mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 37.5nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 36W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS, Pb-Free | |
| Længde | 3.3mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 126A | ||
Drain source spænding maks. Vds 25V | ||
Serie PowerTrench Power Clip | ||
Emballagetype PQFN-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 5.3mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 37.5nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 36W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS, Pb-Free | ||
Længde 3.3mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
ON Semiconductor Power MOSFET er optimeret til lavspændingsapplikationer og tilbyder høj effektivitet og minimale ledningstab. Med sin DSC-6-pakke giver den fremragende termisk ydeevne og pladsbesparende fordele for moderne elektroniske designs. Denne enhed sikrer pålidelig drift med lav R DS(on) og robust strømhåndtering.
Lille fodaftryk til kompakt design
Lav QG og kapacitans for at minimere driverens tab
Pb-fri
I overensstemmelse med RoHS
Relaterede links
- onsemi Type N-Kanal 61 A 150 V Forbedring PQFN, PowerTrench
- onsemi Type N-Kanal 17 A 100 V Forbedring PQFN, PowerTrench
- onsemi Type N-Kanal 57 A 100 V Forbedring PQFN, PowerTrench
- onsemi Type N-Kanal 51 A 100 V Forbedring PQFN, PowerTrench
- onsemi Type N-Kanal 150 A 25 V Forbedring PQFN, Power
- onsemi Type N-Kanal 24 A 150 V Forbedring PQFN-8, UltraFET
- onsemi Type P-Kanal 8 A 20 V Forbedring SOIC, PowerTrench
- onsemi Type N-Kanal 32 A 80 V Forbedring PQFN, NTMFS006N08MC