onsemi N-Kanal, MOSFET, 126 A 25 V Forbedring, 8 Ben, PQFN-8, PowerTrench Power Clip
- RS-varenummer:
- 333-403
- Producentens varenummer:
- NTTFD1D8N02P1E
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 bånd af 5 enheder)*
Kr. 64,62
(ekskl. moms)
Kr. 80,78
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 04. oktober 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr bånd* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 12,924 | Kr. 64,62 |
| 50 - 95 | Kr. 12,252 | Kr. 61,26 |
| 100 - 495 | Kr. 11,348 | Kr. 56,74 |
| 500 - 995 | Kr. 10,468 | Kr. 52,34 |
| 1000 + | Kr. 10,068 | Kr. 50,34 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 333-403
- Producentens varenummer:
- NTTFD1D8N02P1E
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 126A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 25V | |
| Serie | PowerTrench Power Clip | |
| Emballagetype | PQFN-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 5.3mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 16V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 37.5nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 36W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 3.3mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS, Pb-Free | |
| Bredde | 3.3mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 126A | ||
Drain source spænding maks. Vds 25V | ||
Serie PowerTrench Power Clip | ||
Emballagetype PQFN-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 5.3mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 16V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 37.5nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 36W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 3.3mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS, Pb-Free | ||
Bredde 3.3mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
ON Semiconductor Power MOSFET er optimeret til lavspændingsapplikationer og tilbyder høj effektivitet og minimale ledningstab. Med sin DSC-6-pakke giver den fremragende termisk ydeevne og pladsbesparende fordele for moderne elektroniske designs. Denne enhed sikrer pålidelig drift med lav R DS(on) og robust strømhåndtering.
Lille fodaftryk til kompakt design
Lav QG og kapacitans for at minimere driverens tab
Pb-fri
I overensstemmelse med RoHS