onsemi N-Kanal, MOSFET, 32 A 80 V Forbedring, 8 Ben, PQFN, NTMFS006N08MC
- RS-varenummer:
- 205-2425
- Producentens varenummer:
- NTMFS006N08MC
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 139,88
(ekskl. moms)
Kr. 174,85
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 29. september 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 13,988 | Kr. 139,88 |
| 100 - 240 | Kr. 12,058 | Kr. 120,58 |
| 250 + | Kr. 10,457 | Kr. 104,57 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 205-2425
- Producentens varenummer:
- NTMFS006N08MC
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 32A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Emballagetype | PQFN | |
| Serie | NTMFS006N08MC | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 6mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 30nC | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 78W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 5.1mm | |
| Længde | 6.1mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 32A | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Emballagetype PQFN | ||
Serie NTMFS006N08MC | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 6mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 30nC | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 78W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 5.1mm | ||
Længde 6.1mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
ON Semiconductor Power Trench-serien 150 V N-kanal MV MOSFET er fremstillet ved hjælp af Advanced Process, der indeholder skærmet gate-teknologi. Denne proces er blevet optimeret til at minimere modstand i ledetilstand og alligevel bevare uovertruffen switching-ydelse med en best-in-class blød husdiode
Maks. RDS(on) = 11,5 Mohm ved VGS er 10 V, ID er 35 A.
Lavt tab af konduktion
Maks. RDS(on) er 13,2 Mohm ved VGS er 8 V, ID er 18 A.
50 % lavere Qrr end andre mosfet-leverandører
Reducerer skiftestøj/EMI
MSL1 robust husdesign
100 % UIL-testet