onsemi N-Kanal, MOSFET, 22 A 80 V Forbedring, 8 Ben, PQFN, FDMC
- RS-varenummer:
- 178-4558
- Producentens varenummer:
- FDMC007N08LCDC
- Brand:
- onsemi
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
Alternativ
Dette produkt er ikke tilgængeligt i øjeblikket. Vi anbefaler dette alternativ.
Pr. stk. (på Rulle á 3000)
Kr. 32.727,00
(ekskl. moms)
Kr. 40.908,75
(inkl. moms)
- RS-varenummer:
- 178-4558
- Producentens varenummer:
- FDMC007N08LCDC
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 22A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Serie | FDMC | |
| Emballagetype | PQFN | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 6.8mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 57W | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 31nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 0.75mm | |
| Bredde | 3.4mm | |
| Længde | 3.4mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 22A | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Serie FDMC | ||
Emballagetype PQFN | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 6.8mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 57W | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 31nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 0.75mm | ||
Bredde 3.4mm | ||
Længde 3.4mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
Denne N-kanal MV MOSFET er produceret med Fairchild Semiconductor's advancerede PowerTrench® proces, der omfatter skærmet gate-teknologi. Denne proces er blevet optimeret til at minimere modstand i ledetilstand og alligevel bevare en best-in-class blød husdiode
Skærmet Gate MOSFET-teknologi
Maks. rDS(on) = 6,8 mΩ ved VGS = 10 V, ID = 21 A
Maks. rDS(on) = 11,1 mΩ ved VGS = 4,5 V, ID = 17 A
Accepterer 5 V harddisk
50 % lavere Qrr end andre MOSFET-leverandører
Sænker switching-støj/EMI
MSL1 robust husdesign
Dualcool-kompatibelt hus
Anvendelsesområder
Primær DC-DC-MOSFET
Synkron ensretter i DC-DC og AC-DC
Motordrev
Sol