Infineon N-Kanal, MOSFET, 23 A 750 V Forbedring, 4 Ben, PG-TO247-4, CoolSiC AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 348-946
- Producentens varenummer:
- AIMZA75R090M1HXKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 64,33
(ekskl. moms)
Kr. 80,41
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 240 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 64,33 |
| 10 - 99 | Kr. 57,97 |
| 100 - 499 | Kr. 53,56 |
| 500 - 999 | Kr. 49,52 |
| 1000 + | Kr. 44,43 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 348-946
- Producentens varenummer:
- AIMZA75R090M1HXKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 23A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 750V | |
| Emballagetype | PG-TO247-4 | |
| Serie | CoolSiC | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 117mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 23V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 113W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 15nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 23A | ||
Drain source spænding maks. Vds 750V | ||
Emballagetype PG-TO247-4 | ||
Serie CoolSiC | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 117mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 23V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 113W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 15nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon 750 V CoolSiC MOSFET er bygget over den solide siliciumcarbid-teknologi, som Infineon har udviklet i mere end 20 år. 750V CoolSiC MOSFET udnytter materialets egenskaber med bredt båndgab og tilbyder en unik kombination af ydeevne, pålidelighed og brugervenlighed. Den er velegnet til høje temperaturer og barsk drift og muliggør en forenklet og omkostningseffektiv implementering af den højeste systemeffektivitet.
Infineons proprietære die attach-teknologi
Driverens kildestift er tilgængelig
Forbedret robusthed og pålidelighed for busspændinger over 500 V
Overlegen effektivitet ved hård omskiftning
Højere skiftefrekvens i soft switching-topologier
Robusthed over for parasitære tændinger ved unipolær gate-drift
Reducerede koblingstab gennem forbedret gatekontrol
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 32 A 750 V Forbedring PG-TO247-4, CoolSiC AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 44 A 750 V Forbedring PG-TO247-4, CoolSiC AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 60 A 750 V Forbedring PG-TO247-4, CoolSiC AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 75 A 750 V Forbedring PG-TO247-4, CoolSiC AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 89 A 750 V Forbedring PG-TO247-4, CoolSiC AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 16 A 750 V Forbedring PG-TO247-4, CoolSiC AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 23 A 750 V Forbedring PG-TO247-4, CoolSiC
- Infineon N-Kanal 75 A 750 V Forbedring PG-TO247-4, CoolSiC