Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 23 A 750 V Forbedring, 4 Ben, PG-TO247-4, CoolSiC AEC-Q101 AIMZA75R090M1HXKSA1

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 62,79

(ekskl. moms)

Kr. 78,49

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 10. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 9Kr. 62,79
10 - 99Kr. 56,47
100 - 499Kr. 52,14
500 - 999Kr. 48,40
1000 +Kr. 43,38

*Vejledende pris

RS-varenummer:
348-946
Producentens varenummer:
AIMZA75R090M1HXKSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

23A

Drain source spænding maks. Vds

750V

Serie

CoolSiC

Emballagetype

PG-TO247-4

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

117mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

23 V

Effektafsættelse maks. Pd

113W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

15nC

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
MY
Infineon 750 V CoolSiC MOSFET er bygget over den solide siliciumcarbid-teknologi, som Infineon har udviklet i mere end 20 år. 750V CoolSiC MOSFET udnytter materialets egenskaber med bredt båndgab og tilbyder en unik kombination af ydeevne, pålidelighed og brugervenlighed. Den er velegnet til høje temperaturer og barsk drift og muliggør en forenklet og omkostningseffektiv implementering af den højeste systemeffektivitet.

Infineons proprietære die attach-teknologi

Driverens kildestift er tilgængelig

Forbedret robusthed og pålidelighed for busspændinger over 500 V

Overlegen effektivitet ved hård omskiftning

Højere skiftefrekvens i soft switching-topologier

Robusthed over for parasitære tændinger ved unipolær gate-drift

Reducerede koblingstab gennem forbedret gatekontrol

Relaterede links