Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 47 A 750 V Forbedring, 22 Ben, PG-HDSOP-22, CoolSiC
- RS-varenummer:
- 349-042
- Producentens varenummer:
- IMDQ75R040M1HXUMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 64,25
(ekskl. moms)
Kr. 80,31
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 750 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 64,25 |
| 10 - 99 | Kr. 57,82 |
| 100 - 499 | Kr. 53,33 |
| 500 - 999 | Kr. 49,44 |
| 1000 + | Kr. 44,36 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 349-042
- Producentens varenummer:
- IMDQ75R040M1HXUMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 47A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 750V | |
| Serie | CoolSiC | |
| Emballagetype | PG-HDSOP-22 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 22 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 52mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 23 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 211W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 34nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 47A | ||
Drain source spænding maks. Vds 750V | ||
Serie CoolSiC | ||
Emballagetype PG-HDSOP-22 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 22 | ||
Drain source modstand maks. Rds 52mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 23 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 211W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 34nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon 750 V CoolSiC MOSFET G1 er bygget på Infineons solide siliciumcarbid-teknologi, der er udviklet gennem mere end 20 år. Ved at udnytte egenskaberne ved SiC-materialer med bredt båndgab leverer 750 V CoolSiC MOSFET en unik kombination af ydeevne, pålidelighed og brugervenlighed. Denne MOSFET er designet til at modstå høje temperaturer og barske driftsforhold, hvilket gør den ideel til krævende anvendelser. Det muliggør en forenklet og omkostningseffektiv implementering af systemer med høj effektivitet, der opfylder de skiftende behov for effektelektronik i udfordrende miljøer.
Infineons proprietære die attach-teknologi
Banebrydende kølepakke til oversiden
Driverens kildestift er tilgængelig
Forbedret robusthed til at modstå busspændinger på over 500 V
Overlegen effektivitet ved hård omskiftning
Højere skiftefrekvens i soft switching-topologier
Robusthed over for parasitære tændinger ved unipolær gate-drift
Klassens bedste varmeafledning
Reducerede koblingstab gennem forbedret gatekontrol
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 47 A 750 V Forbedring PG-HDSOP-22, CoolSiC AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 81 A 750 V Forbedring PG-HDSOP-22, CoolSiC
- Infineon Type N-Kanal 98 A 750 V Forbedring PG-HDSOP-22, CoolSiC
- Infineon Type N-Kanal 173 A 750 V Forbedring PG-HDSOP-22, CoolSiC
- Infineon Type N-Kanal 34 A 750 V Forbedring PG-HDSOP-22, CoolSiC
- Infineon Type N-Kanal 38 A 750 V Forbedring PG-HDSOP-22, CoolSiC
- Infineon Type N-Kanal 64 A 750 V Forbedring PG-HDSOP-22, CoolSiC
- Infineon Type N-Kanal 24 A 750 V Forbedring PG-HDSOP-22, CoolSiC