Infineon N-Kanal, MOSFET, 238 A 650 V Forbedring, 7 Ben, PG-TO263-7, CoolSiC
- RS-varenummer:
- 349-322
- Producentens varenummer:
- IMBG65R007M2HXTMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 250,58
(ekskl. moms)
Kr. 313,22
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 1.000 enhed(er) afsendes fra 23. september 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 250,58 |
| 10 - 99 | Kr. 225,60 |
| 100 + | Kr. 208,09 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 349-322
- Producentens varenummer:
- IMBG65R007M2HXTMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 238A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | PG-TO263-7 | |
| Serie | CoolSiC | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 7 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 8.5mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 23V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 789W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 179nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 238A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype PG-TO263-7 | ||
Serie CoolSiC | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 7 | ||
Drain source modstand maks. Rds 8.5mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 23V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 789W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 179nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon CoolSiC seriens MOSFET, 650 V maksimal drain source-spænding, 238 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - IMBG65R007M2HXTMA1
Denne MOSFET er en siliciumkarbid-forbedringsenhed med N-kanal, der er designet til højspændingskoblings- og strømkonverteringsopgaver. Den fungerer over et bredt omgivelsesområde, hvilket gør den velegnet til krævende termiske miljøer, og den leveres i en overflademonteret strømforsyning til integration i kompakte enheder.
Egenskaber og fordele:
• 650 V drain-klassificering muliggør højspændingskoblingsanvendelser
• 8,5 mΩ Rds(on) giver lave ledningstab for effektivitet
• 238 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter kraftige strømbelastninger
• 789 W maks. effekttab håndterer betydelig termisk belastning
• 179 nC typisk portladning muliggør forudsigelige krav til portdrev
• PG-TO263-7-pakke til overflademontering gør det nemt at montere printkort til masseproduktion
• 8,5 mΩ Rds(on) giver lave ledningstab for effektivitet
• 238 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter kraftige strømbelastninger
• 789 W maks. effekttab håndterer betydelig termisk belastning
• 179 nC typisk portladning muliggør forudsigelige krav til portdrev
• PG-TO263-7-pakke til overflademontering gør det nemt at montere printkort til masseproduktion
Anvendelser
• Velegnet til invertere i industrielle strømsystemer
• Ideel til kraftige motordrev og trækkraftomformere
• Anvendes sammen med konvertere til vedvarende energi og strømoptimeringsenheder
• Kan bruges til højspændings DC-DC-konverteringstrin
• Anvendes i uafbrudte strømforsyninger og nettilsluttede systemer
• Ideel til kraftige motordrev og trækkraftomformere
• Anvendes sammen med konvertere til vedvarende energi og strømoptimeringsenheder
• Kan bruges til højspændings DC-DC-konverteringstrin
• Anvendes i uafbrudte strømforsyninger og nettilsluttede systemer
Hvilket termisk område kan den tolerere i barske installationer?
Den er normeret til drift fra -55 °C op til 175 °C, hvilket muliggør drift i ekstreme temperaturmiljøer.
Hvilke begrænsninger for gate-drev skal overholdes for sikker drift?
Port-til-kilde-spændingen må ikke overstige 23 V for at undgå belastning af portstrukturen.
Hvor mange ben har pakken med hensyn til printkortlayout?
Komponenten bruger en 7-benet konfiguration, der passer til standard overflademonteret placering.
Er denne enhed velegnet til specifikke certificeringskrav til biler?
Den er ikke klassificeret under standarder i bilkvalitet, men er i overensstemmelse med RoHS.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 41 A 650 V Forbedring PG-TO263-7, CoolSiC
- Infineon N-Kanal 115 A 650 V Forbedring PG-TO263-7, CoolSiC
- Infineon N-Kanal 91 A 650 V Forbedring PG-TO263-7, CoolSiC
- Infineon N-Kanal 49 A 650 V Forbedring PG-TO263-7, CoolSiC
- Infineon N-Kanal 28 A 650 V Forbedring PG-TO263-7, CoolSiC
- Infineon N-Kanal 17 A 750 V Forbedring PG-TO263-7, CoolSiC AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 81 A 750 V Forbedring PG-TO263-7, CoolSiC AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 34 A 750 V Forbedring PG-TO263-7, CoolSiC AEC-Q101