Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 49 A 650 V Forbedring, 7 Ben, PG-TO263-7, CoolSiC
- RS-varenummer:
- 349-326
- Producentens varenummer:
- IMBG65R040M2HXTMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 72,19
(ekskl. moms)
Kr. 90,24
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 1.000 enhed(er) afsendes fra 23. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 72,19 |
| 10 - 99 | Kr. 65,00 |
| 100 - 499 | Kr. 59,91 |
| 500 - 999 | Kr. 55,58 |
| 1000 + | Kr. 49,82 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 349-326
- Producentens varenummer:
- IMBG65R040M2HXTMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 49A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | CoolSiC | |
| Emballagetype | PG-TO263-7 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 7 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 49mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 197W | |
| Portkildespænding maks. | 23 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 28nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 49A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie CoolSiC | ||
Emballagetype PG-TO263-7 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 7 | ||
Drain source modstand maks. Rds 49mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 197W | ||
Portkildespænding maks. 23 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 28nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon 650 V CoolSiC MOSFET G2 er bygget på Infineons robuste 2. generations Silicon Carbide trench-teknologi, der giver uovertruffen ydeevne, overlegen pålidelighed og enestående brugervenlighed. Denne MOSFET muliggør omkostningseffektive, højeffektive og forenklede designs, der opfylder de stadigt voksende behov i moderne kraftsystemer og markeder. Den er ideel til anvendelser, hvor der kræves høj effektivitet og robust ydeevne, og giver en pålidelig løsning til en lang række effektelektronik.
Ultra lave koblingstab
Robust mod parasitisk tænding, selv med 0 V slukket gatespænding
Fleksibel drivspænding og kompatibel med bipolært drivsystem
Robust kropsdiodedrift under hårde kommuteringshændelser
.XT-forbindelsesteknologien giver klassens bedste termiske ydeevne
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 91 A 650 V Forbedring PG-TO263-7, CoolSiC
- Infineon Type N-Kanal 238 A 650 V Forbedring PG-TO263-7, CoolSiC
- Infineon Type N-Kanal 115 A 650 V Forbedring PG-TO263-7, CoolSiC
- Infineon Type N-Kanal 41 A 650 V Forbedring PG-TO263-7, CoolSiC
- Infineon Type N-Kanal 17 A 750 V Forbedring PG-TO263-7, CoolSiC AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 64 A 750 V Forbedring PG-TO263-7, CoolSiC AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 47 A 750 V Forbedring PG-TO263-7, CoolSiC AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 98 A 750 V Forbedring PG-TO263-7, CoolSiC AEC-Q101