Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 17 A 1200 V Forbedring, 4 Ben, PG-TO-247-4-STD-NT6.7, CoolSiC AEC-Q101, AEC-Q100
- RS-varenummer:
- 349-381
- Producentens varenummer:
- AIMZH120R160M1TXKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 70,65
(ekskl. moms)
Kr. 88,31
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 240 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 70,65 |
| 10 - 99 | Kr. 63,65 |
| 100 - 499 | Kr. 58,64 |
| 500 - 999 | Kr. 54,38 |
| 1000 + | Kr. 48,69 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 349-381
- Producentens varenummer:
- AIMZH120R160M1TXKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 17A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1200V | |
| Emballagetype | PG-TO-247-4-STD-NT6.7 | |
| Serie | CoolSiC | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 200mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 14nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 109W | |
| Portkildespænding maks. | 23 V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101, AEC-Q100 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 17A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1200V | ||
Emballagetype PG-TO-247-4-STD-NT6.7 | ||
Serie CoolSiC | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 200mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 14nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 109W | ||
Portkildespænding maks. 23 V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101, AEC-Q100 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Infineons SiC MOSFET har klassens bedste koblingsydelse, robusthed over for parasitære tændinger samt forbedret RDSon og Rth(j-c). Høj effekttæthed, overlegen effektivitet, tovejs opladningsmuligheder og betydelige reduktioner i systemomkostningerne gør den til et ideelt valg til on board-opladere og DC til DC-applikationer.
Meget lave koblingstab
Bedst i klassen til at skifte energi
Laveste enhedskapaciteter
Sense pin til optimeret skifteydelse
Velegnet til krav om HV-krybesporing
Tyndere ledninger giver mindre risiko for loddebroer
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 100 A 1200 V Forbedring PG-TO-247-4-STD-NT6.7 AEC-Q100
- Infineon Type N-Kanal 69 A 1200 V Forbedring PG-TO-247-4-STD-NT6.7 AEC-Q100
- Infineon Type N-Kanal 22 A 1200 V Forbedring PG-TO-247-4-STD-NT6.7 AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 202 A 1200 V Forbedring PG-TO-247-4-STD-NT6.7 AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 55 A 1200 V Forbedring PG-TO-247-4-STD-NT6.7 AEC-Q100
- Infineon Type N-Kanal 31 A 1200 V Forbedring PG-TO-247-4-STD-NT6.7 AEC-Q100
- Infineon Type N-Kanal 38 A 1200 V Forbedring PG-TO-247-4-STD-NT6.7 AEC-Q100
- Infineon Type N-Kanal 7.5 A 1700 V Forbedring PG-TO-247-3-STD-NN4.8, CoolSiC