Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 55 A 1200 V Forbedring, 4 Ben, PG-TO-247-4-STD-NT6.7, CoolSiC AEC-Q101, AEC-Q100

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 142,30

(ekskl. moms)

Kr. 177,88

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 12. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 9Kr. 142,30
10 - 99Kr. 128,06
100 +Kr. 118,03

*Vejledende pris

RS-varenummer:
349-376
Producentens varenummer:
AIMZH120R040M1TXKSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

55A

Drain source spænding maks. Vds

1200V

Emballagetype

PG-TO-247-4-STD-NT6.7

Serie

CoolSiC

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

50mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

43nC

Effektafsættelse maks. Pd

268W

Portkildespænding maks.

23 V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

AEC-Q101, AEC-Q100

COO (Country of Origin):
CN
Infineons SiC MOSFET har klassens bedste koblingsydelse, robusthed over for parasitære tændinger samt forbedret RDSon og Rth(j-c). Høj effekttæthed, overlegen effektivitet, tovejs opladningsmuligheder og betydelige reduktioner i systemomkostningerne gør den til et ideelt valg til on board-opladere og DC til DC-applikationer.

Meget lave koblingstab

Bedst i klassen til at skifte energi

Laveste enhedskapaciteter

Sense pin til optimeret skifteydelse

Velegnet til krav om HV-krybesporing

Tyndere ledninger giver mindre risiko for loddebroer

Relaterede links