Infineon N-Kanal, MOSFET, 70 A 650 V Forbedring, 8 Ben, PG-HSOF-8, IGT65
- RS-varenummer:
- 351-969
- Producentens varenummer:
- IGT65R025D2ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 88,11
(ekskl. moms)
Kr. 110,14
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 1.945 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 88,11 |
| 10 - 99 | Kr. 79,29 |
| 100 + | Kr. 73,15 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 351-969
- Producentens varenummer:
- IGT65R025D2ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 70A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | IGT65 | |
| Emballagetype | PG-HSOF-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.03Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 11nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 10V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 236W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | JEDEC for Industrial Applications | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 70A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie IGT65 | ||
Emballagetype PG-HSOF-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.03Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 11nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 10V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 236W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser JEDEC for Industrial Applications | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon IGT65 seriens MOSFET, 650 V drain source-spænding, 70 A kontinuerlig drain-strøm - IGT65R025D2ATMA1
Denne MOSFET er en højspændingstransistor, der er designet til krævende industrielle miljøer. Den fungerer over et udvidet temperaturområde og leveres i en overflademonteret pakke, der er velegnet til kompakte kort. Enheden er beregnet til strømkonverterings- og koblingsroller, hvor der kræves høj spændingstolerance og robust kontinuerlig strømhåndtering.
Egenskaber og fordele:
• Modstandsdygtig over for 650 V drain til højspændingskoblingsanvendelser
• 70 A kontinuerlig aftapningskapacitet til vedvarende belastningshåndtering
• 0.03 Ω Rds(on) for reducerede ledningstab
• 236 W maks. effekttab for termisk hovedrum
• 11 nC typisk gate-ladning for hurtigere skifteovergange
• 10 V portklassificering, der er kompatibel med standard gate-drive-spændinger
• 70 A kontinuerlig aftapningskapacitet til vedvarende belastningshåndtering
• 0.03 Ω Rds(on) for reducerede ledningstab
• 236 W maks. effekttab for termisk hovedrum
• 11 nC typisk gate-ladning for hurtigere skifteovergange
• 10 V portklassificering, der er kompatibel med standard gate-drive-spændinger
Anvendelser
• Ideel til industrielle switch-mode strømforsyninger og invertere
• Velegnet til motorstyringstrin i højspændingssystemer
• Anvendes sammen med DC-DC-højspændingsomformere til energiomdannelse
• Kan bruges til hard-switching-topologier i effektelektronik
• Velegnet til telekommunikationsstrømfordeling og hjælpeforsyninger
• Velegnet til motorstyringstrin i højspændingssystemer
• Anvendes sammen med DC-DC-højspændingsomformere til energiomdannelse
• Kan bruges til hard-switching-topologier i effektelektronik
• Velegnet til telekommunikationsstrømfordeling og hjælpeforsyninger
Hvilken indkapslingstype anvendes, og hvordan påvirker det kortmontering?
Enheden leveres i en PG-HSOF-8-pakke til overflademontering, der letter automatiseret reflow-lodning og kompakte printkortlayouts, samtidig med at der leveres flere termiske og elektriske ledninger.
Hvilke hensyn skal der tages til gate-drev for pålidelig drift?
Hold gate-drevet inden for ±10 V, og sørg for en returvej med lav impedans for at minimere skiftetransienter og sikre forudsigelig til- og frakoblingstiming.
Hvordan påvirker temperaturområdet installationssteder?
Det nominelle driftsområde fra -55 °C til 150 °C giver mulighed for placering i både koldstart og industrielle kabinetter med høje temperaturer uden at reducere den grundlæggende koblingsevne.
Hvilke termiske styringsstrategier anbefales til kontinuerlig drift?
Brug et tilstrækkeligt kobberområde eller dedikeret varmeafleder under pakken, sørg for gode termiske ledninger på printkortet, og overvej luftstrøm for at opretholde forbindelsestemperaturer inden for sikre grænser.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 31 A 650 V Forbedring PG-HSOF-8, IGT65
- Infineon N-Kanal 13 A 650 V Forbedring PG-HSOF-8, IGT65
- Infineon N-Kanal 38 A 650 V Forbedring PG-HSOF-8, IGT65
- Infineon N-Kanal 44 A 650 V Forbedring PG-HSOF-8, CoolSiC MOSFET 650 V G1
- Infineon N-Kanal 50 A 650 V Forbedring PG-HSOF-8, CoolSiC MOSFET 650 V G1
- Infineon N-Kanal 142 A 650 V Forbedring PG-HSOF-8, CoolSiC MOSFET 650 V G1
- Infineon N-Kanal 61 A 650 V Forbedring PG-HSOF-8, CoolSiC MOSFET 650 V G1
- Infineon N-Kanal 196 A 650 V Forbedring PG-HSOF-8, CoolSiC MOSFET 650 V G1