STMicroelectronics N-kanal Type N-Kanal, MOSFET, 672 A 40 V Forbedring, 4 Ben, PowerLeaded, STK615 AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 358-981
- Producentens varenummer:
- STK615N4F8AG
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 32,46
(ekskl. moms)
Kr. 40,58
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 300 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 32,46 |
| 10 - 99 | Kr. 29,17 |
| 100 - 499 | Kr. 26,93 |
| 500 - 999 | Kr. 25,06 |
| 1000 + | Kr. 20,35 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 358-981
- Producentens varenummer:
- STK615N4F8AG
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 672A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Udgangseffekt | 390W | |
| Serie | STK615 | |
| Emballagetype | PowerLeaded | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Transistorkonfiguration | N-kanal | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 1.85mm | |
| Længde | 8.15mm | |
| Standarder/godkendelser | AEC-Q101 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 672A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Udgangseffekt 390W | ||
Serie STK615 | ||
Emballagetype PowerLeaded | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Transistorkonfiguration N-kanal | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 1.85mm | ||
Længde 8.15mm | ||
Standarder/godkendelser AEC-Q101 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics N-kanals Power MOSFET i forbedringstilstand er designet i STripFET F8-teknologi med en forbedret trench gate-struktur. Det sikrer en state-of-the-art figure of merit for meget lav on-state modstand og reducerer samtidig interne kapacitanser og gate-ladning for hurtigere og mere effektiv switching.
AEC Q101 kvalificeret
MSL1 kvalitet
175 grader C maksimal driftsforbindelsestemperatur
100 procent lavinetestet