STMicroelectronics, MOSFET, 55 A 1200 V, H2PAK-7, SCT AEC-Q101

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 enhed)*

Kr. 196,50

(ekskl. moms)

Kr. 245,62

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 25. marts 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
1 - 9Kr. 196,50
10 - 99Kr. 176,83
100 +Kr. 163,06

*Vejledende pris

RS-varenummer:
365-166
Producentens varenummer:
SCT025H120G3-7
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

55A

Drain source spænding maks. Vds

1200V

Emballagetype

H2PAK-7

Serie

SCT

Monteringstype

Overflade

Drain source modstand maks. Rds

27mΩ

Effektafsættelse maks. Pd

375W

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN
STMicroelectronics Silicon Carbide Power MOSFET-enhed er udviklet ved hjælp af ST's avancerede og innovative 3. generations SiC MOSFET-teknologi. Enheden har en meget lav RDS(on) over hele temperaturområdet kombineret med lave kapaciteter og meget høje koblingsfunktioner, som forbedrer anvendelsesydelse med hensyn til frekvens, energieffektivitet, systemstørrelse og vægtreduktion.

AEC-Q101 kvalificeret

Meget lav RDS(on) over hele temperaturområdet

Høj hastighed ved skift

Meget hurtig og robust intrinsic body diode

Source sensing pin for øget effektivitet

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.