STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 30 A 650 V Forbedring, 4 Ben, SCT
- RS-varenummer:
- 366-221
- Producentens varenummer:
- SCT040W65G3-4
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 73,00
(ekskl. moms)
Kr. 91,25
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 26 enhed(er) afsendes fra 21. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 73,00 |
| 10 - 99 | Kr. 65,67 |
| 100 + | Kr. 60,89 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 366-221
- Producentens varenummer:
- SCT040W65G3-4
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Driftsfrekvens | 1MHz | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 30A | |
| Udgangseffekt | 240W | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | SCT | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 4 | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 200°C | |
| Højde | 5.1mm | |
| Længde | 20.1mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bredde | 15.9mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Driftsfrekvens 1MHz | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 30A | ||
Udgangseffekt 240W | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie SCT | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 4 | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 200°C | ||
Højde 5.1mm | ||
Længde 20.1mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bredde 15.9mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics Silicon Carbide Power MOSFET-enhed er udviklet ved hjælp af ST's avancerede og innovative 3. generations SiC MOSFET-teknologi. Enheden har en meget lav RDS(on) over hele temperaturområdet kombineret med lave kapaciteter og meget høje koblingsfunktioner, som forbedrer anvendelsesydelse med hensyn til frekvens, energieffektivitet, systemstørrelse og vægtreduktion.
Meget lav RDS(on) over hele temperaturområdet
Høj hastighed ved skift
Meget hurtig og robust intrinsic body diode
Mulighed for meget høj driftstemperatur
Source sensing pin for øget effektivitet