Toshiba P-Kanal, MOSFET-transistor, 4.5 A 30 V, 6 ben, VS, U-MOSⅣ TPC6108(TE85L,F)

Brand

Toshiba

Kanaltype

P

Drain-strøm kontinuerlig maks.

4.5 A

Drain source spænding maks.

30 V

Serie

U-MOSⅣ

Kapslingstype

VS

Monteringstype

Overflademontering

Benantal

6

Drain source modstand maks.

60 mΩ

Kanalform

Enhancement

Maks. tærskelspænding for port

2V

Effektafsættelse maks.

2200 mW

Gate source spænding maks.

-20 V, +20 V

Længde

2.9mm

Bredde

1.6mm

Driftstemperatur maks.

+150 °C

Antal elementer per chip

1

Gate-ladning ved Vgs typisk

13 nC ved 10 V

Driftstemperatur min.

-55 °C

Højde

0.7mm