Toshiba N-Kanal, MOSFET, 9 A 900 V, 3 ben, TO-3PN, 2SK 2SK3878(F)

RS-varenummer:: 415-354P
Producentens varenummer:: 2SK3878(F)
Brand:: Toshiba

Toshiba N-Kanal, MOSFET, 9 A 900 V, 3 ben, TO-3PN, 2SK 2SK3878(F)

Dette produkt er udgået

RS-varenummer:: 415-354P
Producentens varenummer:: 2SK3878(F)
Brand:: Toshiba

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attribute	Value
Kanaltype	N
Drain-strøm kontinuerlig maks.	9 A
Drain source spænding maks.	900 V
Kapslingstype	TO-3PN
Serie	2SK
Monteringstype	Hulmontering
Benantal	3
Drain source modstand maks.	1,3 Ω
Kanalform	Enhancement
Maks. tærskelspænding for port	4V
Effektafsættelse maks.	150 W
Transistorkonfiguration	Enkelt
Gate source spænding maks.	-30 V, +30 V
Gate-ladning ved Vgs typisk	60 nC ved 10 V
Antal elementer per chip	1
Transistormateriale	Si
Længde	15.9mm
Driftstemperatur maks.	+150 °C
Bredde	4.8mm
Højde	19mm
Driftstemperatur min.	-55 °C

Toshiba N-Kanal, MOSFET, 9 A 900 V, 3 ben, TO-3PN, 2SK 2SK3878(F)

MOSFET, N-kanal, 2SK serien, Toshiba