STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 110 A 900 V Forbedring, 4 Ben, SCT AEC-Q101

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 226,64

(ekskl. moms)

Kr. 283,30

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 30 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 4Kr. 226,64
5 +Kr. 219,84

*Vejledende pris

RS-varenummer:
482-970
Producentens varenummer:
SCT012W90G3-4AG
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

110A

Drain source spænding maks. Vds

900V

Serie

SCT

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

4

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

200°C

Bredde

15.8 mm

Længde

21mm

Højde

5mm

Standarder/godkendelser

AEC-Q101

Bilindustristandarder

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN
STMicroelectronics Silicon Carbide Power MOSFET-enhed er udviklet ved hjælp af ST's avancerede og innovative 3. generations SiC MOSFET-teknologi. Enheden har en meget lav RDS(on) over hele temperaturområdet kombineret med lave kapaciteter og meget høje koblingsfunktioner, som forbedrer anvendelsesydelse med hensyn til frekvens, energieffektivitet, systemstørrelse og vægtreduktion.

AEC-Q101 kvalificeret

Høj hastighed ved skift

Meget hurtig og robust intrinsic body diode

Relaterede links

Recently viewed