STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 30 A 1200 V Forbedring, 7 Ben, H2PAK-7, SCT AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 482-977
- Producentens varenummer:
- SCT070H120G3AG
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 82,21
(ekskl. moms)
Kr. 102,76
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 998 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 4 | Kr. 82,21 |
| 5 + | Kr. 79,81 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 482-977
- Producentens varenummer:
- SCT070H120G3AG
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 30A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1200V | |
| Emballagetype | H2PAK-7 | |
| Serie | SCT | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 7 | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 10.4mm | |
| Længde | 15.25mm | |
| Standarder/godkendelser | AEC-Q101 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 30A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1200V | ||
Emballagetype H2PAK-7 | ||
Serie SCT | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 7 | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 10.4mm | ||
Længde 15.25mm | ||
Standarder/godkendelser AEC-Q101 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- IT
STMicroelectronics Silicon Carbide Power MOSFET-enhed er udviklet ved hjælp af ST's avancerede og innovative 3. generations SiC MOSFET-teknologi. Enheden har en meget lav RDS(on) over hele temperaturområdet kombineret med lave kapaciteter og meget høje koblingsfunktioner, som forbedrer anvendelsesydelse med hensyn til frekvens, energieffektivitet, systemstørrelse og vægtreduktion.
AEC-Q101 kvalificeret
Meget lav RDS(on) over hele temperaturområdet
Høj hastighed ved skift
Meget hurtig og robust intrinsic body diode
Source sensing pin for øget effektivitet