STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 30 A 1200 V Forbedring, 7 Ben, H2PAK-7, SCT AEC-Q101

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 101,28

(ekskl. moms)

Kr. 126,60

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 10. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 4Kr. 101,28
5 +Kr. 98,29

*Vejledende pris

RS-varenummer:
482-977
Producentens varenummer:
SCT070H120G3AG
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

30A

Drain source spænding maks. Vds

1200V

Emballagetype

H2PAK-7

Serie

SCT

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

7

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Længde

15.25mm

Bredde

24.3 mm

Højde

10.4mm

Standarder/godkendelser

AEC-Q101

Bilindustristandarder

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
IT
STMicroelectronics Silicon Carbide Power MOSFET-enhed er udviklet ved hjælp af ST's avancerede og innovative 3. generations SiC MOSFET-teknologi. Enheden har en meget lav RDS(on) over hele temperaturområdet kombineret med lave kapaciteter og meget høje koblingsfunktioner, som forbedrer anvendelsesydelse med hensyn til frekvens, energieffektivitet, systemstørrelse og vægtreduktion.

AEC-Q101 kvalificeret

Meget lav RDS(on) over hele temperaturområdet

Høj hastighed ved skift

Meget hurtig og robust intrinsic body diode

Source sensing pin for øget effektivitet

Relaterede links