Microchip N-kanals lodret DMOS FET-Kanal, Enkelt MOSFET'er, 350 mA 90 V Forbedringstilstand, 3 Ben, TO-92-3 (TO-226AA)
- RS-varenummer:
- 598-308
- Producentens varenummer:
- VN2450N8-G
- Brand:
- Microchip
Indhold (1 rulle af 2000 enheder)*
Kr. 14.944,00
(ekskl. moms)
Kr. 18.680,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 27. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 2000 + | Kr. 7,472 | Kr. 14.944,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 598-308
- Producentens varenummer:
- VN2450N8-G
- Brand:
- Microchip
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Microchip | |
| Produkttype | Enkelt MOSFET'er | |
| Kanaltype | N-kanals lodret DMOS FET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 350mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 90V | |
| Emballagetype | TO-92-3 (TO-226AA) | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3Ω | |
| Kanalform | Forbedringstilstand | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.8V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 4.19 mm | |
| Længde | 5.08mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS Compliant | |
| Højde | 5.33mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Microchip | ||
Produkttype Enkelt MOSFET'er | ||
Kanaltype N-kanals lodret DMOS FET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 350mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 90V | ||
Emballagetype TO-92-3 (TO-226AA) | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3Ω | ||
Kanalform Forbedringstilstand | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.8V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 4.19 mm | ||
Længde 5.08mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS Compliant | ||
Højde 5.33mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Microchip N-kanalforbedringstilstand vertikal transistor udnytter en vertikal dobbeltdiffuseret metaloxidhalvleder (DMOS) struktur sammen med en velprøvet silicium gate fremstillingsproces. Denne kombination sikrer, at enheden er fri for sekundær sammenbrud og fungerer med et lavt strømkrav til drev, hvilket gør den effektiv og pålidelig til forskellige anvendelser.
Let at parallellisere
Krav om lavt strømforbrug
Høj indgangsimpedans og høj forstærkning
Relaterede links
- Microchip P-Kanal 160 mA 500 V SOT-89, VP2450 VP2450N8-G
- Microchip P-Kanal 480 mA 100 V SOT-89, TP2510 TP2510N8-G
- Microchip N-Kanal 250 mA 600 V SOT-89, VN2460 VN2460N8-G
- Microchip N-Kanal 730 mA 100 V SOT-89, TN2510 TN2510N8-G
- Microchip N-Kanal 730 mA 350 V Depletion SOT-89, DN3135 DN3135N8-G
- Microchip N-Kanal 120 mA 450 V Depletion SOT-89, DN3145 DN3145N8-G
- Microchip N-Kanal 200 mA 450 V Depletion SOT-89, DN3545 DN3545N8-G
- Microchip N-Kanal 360 mA 250 V Depletion SOT-89, DN3525 DN3525N8-G
