Microchip N-kanals lodret DMOS FET-Kanal, Enkelt MOSFET'er, 350 mA 90 V Forbedringstilstand, 3 Ben, TO-92-3 (TO-226AA),
- RS-varenummer:
- 598-472
- Producentens varenummer:
- VN0606L-G
- Brand:
- Microchip
Indhold (1 pose af 1000 enheder)*
Kr. 7.621,00
(ekskl. moms)
Kr. 9.526,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 19. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pose* |
|---|---|---|
| 1000 + | Kr. 7,621 | Kr. 7.621,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 598-472
- Producentens varenummer:
- VN0606L-G
- Brand:
- Microchip
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Microchip | |
| Kanaltype | N-kanals lodret DMOS FET | |
| Produkttype | Enkelt MOSFET'er | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 350mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 90V | |
| Emballagetype | TO-92-3 (TO-226AA) | |
| Serie | VN0606 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3Ω | |
| Kanalform | Forbedringstilstand | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1W | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.8V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 4.19mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS Compliant | |
| Længde | 5.08mm | |
| Højde | 5.33mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Microchip | ||
Kanaltype N-kanals lodret DMOS FET | ||
Produkttype Enkelt MOSFET'er | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 350mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 90V | ||
Emballagetype TO-92-3 (TO-226AA) | ||
Serie VN0606 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3Ω | ||
Kanalform Forbedringstilstand | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1W | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.8V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 4.19mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS Compliant | ||
Længde 5.08mm | ||
Højde 5.33mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Microchip N-kanalforbedringstilstand vertikal transistor udnytter en vertikal dobbeltdiffuseret metaloxidhalvleder (DMOS) struktur sammen med en velprøvet silicium gate fremstillingsproces. Denne kombination sikrer, at enheden er fri for sekundær sammenbrud og fungerer med et lavt strømkrav til drev, hvilket gør den effektiv og pålidelig til forskellige anvendelser.
Let at parallellisere
Krav om lavt strømforbrug
Høj indgangsimpedans og høj forstærkning