Microchip Type N-Kanal, Enkelt MOSFET'er, 600 mA 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-92, VN2106
- RS-varenummer:
- 598-580
- Producentens varenummer:
- VN2106N3-G
- Brand:
- Microchip
Indhold (1 pose af 2000 enheder)*
Kr. 5.148,00
(ekskl. moms)
Kr. 6.436,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 02. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pose* |
|---|---|---|
| 2000 + | Kr. 2,574 | Kr. 5.148,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 598-580
- Producentens varenummer:
- VN2106N3-G
- Brand:
- Microchip
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Microchip | |
| Produkttype | Enkelt MOSFET'er | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 600mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | TO-92 | |
| Serie | VN2106 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.8V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 0.82tommer | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Længde | 0.205tommer | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Microchip | ||
Produkttype Enkelt MOSFET'er | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 600mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype TO-92 | ||
Serie VN2106 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.8V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 0.82tommer | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Længde 0.205tommer | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Microchip N-kanalforbedringstilstand vertikal transistor udnytter en vertikal dobbeltdiffuseret metaloxidhalvleder (DMOS) struktur sammen med en velprøvet silicium gate fremstillingsproces. Denne kombination sikrer, at enheden er fri for sekundær sammenbrud og fungerer med et lavt strømkrav til drev, hvilket gør den effektiv og pålidelig til forskellige anvendelser.
Let at parallellisere
Krav om lavt strømforbrug
Høj indgangsimpedans og høj forstærkning