Microchip Type N-Kanal, Enkelt MOSFET'er, 600 mA 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-92, VN2106
- RS-varenummer:
- 598-580
- Producentens varenummer:
- VN2106N3-G
- Brand:
- Microchip
Indhold (1 pose af 2000 enheder)*
Kr. 5.148,00
(ekskl. moms)
Kr. 6.436,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 15. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pose* |
|---|---|---|
| 2000 + | Kr. 2,574 | Kr. 5.148,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 598-580
- Producentens varenummer:
- VN2106N3-G
- Brand:
- Microchip
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Microchip | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | Enkelt MOSFET'er | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 600mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | VN2106 | |
| Emballagetype | TO-92 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.8V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 0.82tommer | |
| Længde | 0.205tommer | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Microchip | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype Enkelt MOSFET'er | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 600mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie VN2106 | ||
Emballagetype TO-92 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.8V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 0.82tommer | ||
Længde 0.205tommer | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Microchip N-kanalforbedringstilstand vertikal transistor udnytter en vertikal dobbeltdiffuseret metaloxidhalvleder (DMOS) struktur sammen med en velprøvet silicium gate fremstillingsproces. Denne kombination sikrer, at enheden er fri for sekundær sammenbrud og fungerer med et lavt strømkrav til drev, hvilket gør den effektiv og pålidelig til forskellige anvendelser.
Let at parallellisere
Krav om lavt strømforbrug
Høj indgangsimpedans og høj forstærkning
Relaterede links
- Microchip N-Kanal 300 mA 60 V TO-92, VN2106 VN2106N3-G
- Microchip Type N-Kanal 3.4 A 60 V Forbedring TO-92, TN0106
- Microchip Type P-Kanal 280 mA 80 V Forbedring TO-92, VP0808
- Microchip Type N-Kanal 250 mA 600 V Forbedring SOT-89, VN2460
- STMicroelectronics Type N-Kanal 39 A 600 V Forbedring PowerFLAT, ST8L60
- Microchip Type N-Kanal 410 mA 60 V Forbedring TO-39, 2N6660
- Vishay Type N-Kanal 31 A 600 V Forbedring PowerPAK, EF
- Vishay Type N-Kanal 38 A 600 V Forbedring PowerPAK, EF
