Microchip N-kanals lodret DMOS FET-Kanal, Enkelt MOSFET'er, 350 mA 90 V Forbedringstilstand, 3 Ben, TO-92-3 (TO-226AA)
- RS-varenummer:
- 598-595
- Producentens varenummer:
- VP3203N8-G
- Brand:
- Microchip
Indhold (1 rulle af 2000 enheder)*
Kr. 20.280,00
(ekskl. moms)
Kr. 25.360,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 02. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 2000 + | Kr. 10,14 | Kr. 20.280,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 598-595
- Producentens varenummer:
- VP3203N8-G
- Brand:
- Microchip
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Microchip | |
| Kanaltype | N-kanals lodret DMOS FET | |
| Produkttype | Enkelt MOSFET'er | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 350mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 90V | |
| Emballagetype | TO-92-3 (TO-226AA) | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3Ω | |
| Kanalform | Forbedringstilstand | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.8V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 5.08mm | |
| Højde | 5.33mm | |
| Bredde | 4.19 mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS Compliant | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Microchip | ||
Kanaltype N-kanals lodret DMOS FET | ||
Produkttype Enkelt MOSFET'er | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 350mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 90V | ||
Emballagetype TO-92-3 (TO-226AA) | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3Ω | ||
Kanalform Forbedringstilstand | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.8V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 5.08mm | ||
Højde 5.33mm | ||
Bredde 4.19 mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS Compliant | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Microchip P-kanal-forbedringstilstand vertikal MOSFET er en transistor med lav tærskel, normalt slukket, der udnytter en vertikal DMOS-struktur og Supertex' gennemprøvede silicium-gate-fremstillingsproces. Denne kombination giver strømhåndtering af bipolære transistorer sammen med den høje indgangsimpedans og positive temperaturkoefficient, der er iboende i MOS-enheder. Som med alle MOS-strukturer er denne enhed fri for termisk flugt og termisk induceret sekundær sammenbrud, hvilket sikrer robust og pålidelig ydeevne.
Fri for sekundær nedbrydning
Krav om lavt strømforbrug
Let at parallellisere
Høj indgangsimpedans og høj forstærkning
Fremragende termisk stabilitet
Relaterede links
- Microchip P-Kanal 4 A 30 V TO-92, VP3203 VP3203N3-G
- Microchip P-Kanal TO-92 TP0620N3-G
- Microchip P-Kanal TO-92 VP0104N3-G
- Microchip P-Kanal 175 mA 40 V TO-92 TP2104N3-G
- Microchip P-Kanal 250 mA 60 V TO-92 VP2106N3-G
- Microchip P-Kanal 250 mA 90 V TO-92, VP0109 VP0109N3-G
- Microchip P-Kanal 643 mA 60 V TO-92, VP2206 VP2206N3-G
- Microchip P-Kanal 280 mA 80 V TO-92, VP0808 VP0808L-G