Microchip N-kanal DMOS FET-Kanal, Enkelt MOSFET'er, 350 mA 9 V Udtømningstilstand, 5 Ben, SOT-23-5 Nej LND01K1-G

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 12.408,00

(ekskl. moms)

Kr. 15.510,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 13. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 4,136Kr. 12.408,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
598-897
Producentens varenummer:
LND01K1-G
Brand:
Microchip
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Microchip

Kanaltype

N-kanal DMOS FET

Produkttype

Enkelt MOSFET'er

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

350mA

Drain source spænding maks. Vds

9V

Emballagetype

SOT-23-5

Monteringstype

Overflade

Benantal

5

Drain source modstand maks. Rds

1.4Ω

Kanalform

Udtømningstilstand

Gennemgangsspænding Vf

1.8V

Effektafsættelse maks. Pd

360mW

Portkildespænding maks.

12 V

Min. driftstemperatur

-25°C

Driftstemperatur maks.

125°C

Længde

3.05mm

Højde

1.3mm

Standarder/godkendelser

ISO/TS‑16949, RoHS

Bredde

1.75 mm

Bilindustristandarder

Nej

Microchip depletion-mode MOSFET er en transistor med lav tærskel, depletion-mode (normalt tændt), der udnytter en avanceret lateral DMOS-struktur og en velprøvet silicium-gate-fremstillingsproces. Denne kombination frembringer en enhed med effekthåndteringsmulighederne for bipolære transistorer og med den høje indgangsimpedans og positive temperaturkoefficient, der er iboende i MOS-enheder. Denne enhed er karakteristisk for alle MOS-strukturer og er fri for termisk flugt og termisk induceret sekundær sammenbrud.

Lav modstand ved tændt

Lav indgangskapacitans

Hurtige skiftehastigheder

Høj indgangsimpedans og høj forstærkning

Krav om lavt strømforbrug

Let at parallellisere

Relaterede links