Microchip N-kanal DMOS FET-Kanal, Enkelt MOSFET'er, 350 mA 9 V Udtømningstilstand, 5 Ben, SOT-23-5, LND01
- RS-varenummer:
- 598-897
- Producentens varenummer:
- LND01K1-G
- Brand:
- Microchip
Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 16.113,00
(ekskl. moms)
Kr. 20.142,00
(inkl. moms)
Tilføj 3000 enheder for at opnå gratis levering
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 02. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | Kr. 5,371 | Kr. 16.113,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 598-897
- Producentens varenummer:
- LND01K1-G
- Brand:
- Microchip
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Microchip | |
| Kanaltype | N-kanal DMOS FET | |
| Produkttype | Enkelt MOSFET'er | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 350mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 9V | |
| Emballagetype | SOT-23-5 | |
| Serie | LND01 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 5 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.4Ω | |
| Kanalform | Udtømningstilstand | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 360mW | |
| Min. driftstemperatur | -25°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.8V | |
| Portkildespænding maks. | 12 V | |
| Driftstemperatur maks. | 125°C | |
| Bredde | 1.75 mm | |
| Længde | 3.05mm | |
| Standarder/godkendelser | ISO/TS‑16949, RoHS | |
| Højde | 1.3mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Microchip | ||
Kanaltype N-kanal DMOS FET | ||
Produkttype Enkelt MOSFET'er | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 350mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 9V | ||
Emballagetype SOT-23-5 | ||
Serie LND01 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 5 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.4Ω | ||
Kanalform Udtømningstilstand | ||
Effektafsættelse maks. Pd 360mW | ||
Min. driftstemperatur -25°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.8V | ||
Portkildespænding maks. 12 V | ||
Driftstemperatur maks. 125°C | ||
Bredde 1.75 mm | ||
Længde 3.05mm | ||
Standarder/godkendelser ISO/TS‑16949, RoHS | ||
Højde 1.3mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Microchip depletion-mode MOSFET er en transistor med lav tærskel, depletion-mode (normalt tændt), der udnytter en avanceret lateral DMOS-struktur og en velprøvet silicium-gate-fremstillingsproces. Denne kombination frembringer en enhed med effekthåndteringsmulighederne for bipolære transistorer og med den høje indgangsimpedans og positive temperaturkoefficient, der er iboende i MOS-enheder. Denne enhed er karakteristisk for alle MOS-strukturer og er fri for termisk flugt og termisk induceret sekundær sammenbrud.
Lav modstand ved tændt
Lav indgangskapacitans
Hurtige skiftehastigheder
Høj indgangsimpedans og høj forstærkning
Krav om lavt strømforbrug
Let at parallellisere
Relaterede links
- Microchip N-kanal DMOS FET-Kanal 350 mA 9 V Udtømningstilstand SOT-23-5
- Microchip N-kanal DMOS FET-Kanal 350 mA 500 V Udtømningstilstand TO-252 (D-PAK-3)
- Microchip N-kanals lodret DMOS FET-Kanal 350 mA 90 V Forbedringstilstand TO-92-3 (TO-226AA)
- Microchip N-kanals lodret DMOS FET-Kanal 450 mA 40 V Forbedringstilstand TO-92-3 (TO-226AA)
- DiodesZetex Type N-Kanal 320 mA 100 V Forbedring TO-92, ZVNL110A
- Microchip N-Kanal 330 mA 9 V Depletion SOT-23 LND01K1-G
- Microchip Type N-Kanal 72 mA 350 V Udtømning SOT-89, DN3135
- LM5050MK-2/NOPB 1 Kanaler 265μA SOT-23