STMicroelectronics 8 Type N-Kanal, MOSFET-arrays, 30 A 1200 V Forbedring, 32 Ben, ACEPACK DMT-32, M2TP80M12W2 AEC
- RS-varenummer:
- 640-674
- Producentens varenummer:
- M2TP80M12W2-2LA
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 375,35
(ekskl. moms)
Kr. 469,19
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 26. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 4 | Kr. 375,35 |
| 5 + | Kr. 364,05 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 640-674
- Producentens varenummer:
- M2TP80M12W2-2LA
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET-arrays | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 30A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1200V | |
| Emballagetype | ACEPACK DMT-32 | |
| Serie | M2TP80M12W2 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 32 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 114mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.10V | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Portkildespænding maks. | 22 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 63nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 44.50mm | |
| Standarder/godkendelser | AQG 324 | |
| Højde | 5.90mm | |
| Bredde | 27.90 mm | |
| Antal elementer per chip | 8 | |
| Bilindustristandarder | AEC | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET-arrays | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 30A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1200V | ||
Emballagetype ACEPACK DMT-32 | ||
Serie M2TP80M12W2 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 32 | ||
Drain source modstand maks. Rds 114mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.10V | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Portkildespænding maks. 22 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 63nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 44.50mm | ||
Standarder/godkendelser AQG 324 | ||
Højde 5.90mm | ||
Bredde 27.90 mm | ||
Antal elementer per chip 8 | ||
Bilindustristandarder AEC | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics højeffektivt strømmodul i bilkvalitet er indbygget i ACEPACK DMT-32 huset. Den implementerer en 3-faset 4-leder effektfaktorkorrektion (PFC) topologi ved hjælp af seks anden generations siliciumkarbid (SiC) MOSFET'er og to ensretterdioder. Den er designet til PFC-trin for indbyggede opladere (OBC) i elektriske og hybride køretøjer og tilbyder en kompakt, termisk optimeret løsning med integreret temperaturregistrering.
1200 V siliciumkarbid-MOSFET'er med typisk RDS(on) på 84 mΩ
Implementerer en 3-faset topologi med effektfaktorkorrektion (PFC) med fire ledere
Indeholder 1200 V/20 A ensretterdioder
Integreret NTC-termistor til temperaturovervågning i realtid
Relaterede links
- STMicroelectronics 6 Type N-Kanal Sixpack-topologi 30 A 1200 V Forbedring ACEPACK DMT-32,
- STMicroelectronics 30 A 1200 V ACEPACK DMT-32, M1F Nej M1F45M12W2-1LA
- STMicroelectronics 75 A 1200 V Forbedring A2F AEC-Q101
- STMicroelectronics 75 A 1200 V Forbedring A2F AEC-Q101 A2F12M12W2-F1
- STMicroelectronics 3-faset Type N-Kanal 75 A 1200 V Forbedring ACEPACK 2, A2U AEC-Q101
- STMicroelectronics 488 A 1200 V ACEPACK DRIVE, ADP Nej ADP480120W3
- STMicroelectronics 275 A 1200 V ACEPACK DRIVE, ADP Nej ADP280120W3
- STMicroelectronics 379 A 1200 V ACEPACK DRIVE, Surface Mount AQG 324 ADP360120W3-L
