onsemi N-Kanal, Enkelt MOSFET'er, 7.6 A 1.2 kV Forbedring, 3 Ben, TO-247-3, UF3
- RS-varenummer:
- 648-529
- Producentens varenummer:
- UF3C120400K3S
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pose af 2 enheder)*
Kr. 141,30
(ekskl. moms)
Kr. 176,62
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 600 enhed(er) afsendes fra 17. februar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pose* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | Kr. 70,65 | Kr. 141,30 |
| 10 + | Kr. 69,30 | Kr. 138,60 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 648-529
- Producentens varenummer:
- UF3C120400K3S
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | Enkelt MOSFET'er | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 7.6A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1.2kV | |
| Emballagetype | TO-247-3 | |
| Serie | UF3 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 515mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 27nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 100W | |
| Portkildespænding maks. | 25V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 5.03mm | |
| Længde | 20.96mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS, Pb-Free | |
| Bredde | 15.9mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype Enkelt MOSFET'er | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 7.6A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1.2kV | ||
Emballagetype TO-247-3 | ||
Serie UF3 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 515mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 27nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 100W | ||
Portkildespænding maks. 25V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 5.03mm | ||
Længde 20.96mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS, Pb-Free | ||
Bredde 15.9mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CH
ON Semiconductor EliteSiC Cascode JFET'er kombinerer en normalt tændt SiC JFET med en Si MOSFET for at skabe en normalt slukket enhed i en cascode-kredsløbskonfiguration, der giver fremragende skifteydelse og pålidelighed. Fordelene omfatter høj effektivitet, hurtigere frekvens, øget effekttæthed, reduceret EMI og mindre systemstørrelse. Disse enheder understøtter standard gate drivere, hvilket forenkler udskiftning af Si IGBT'er og super junction-enheder. Velegnet til omskiftning af induktive belastninger.
Modstand ved tænding RDS(til)
Maksimal driftstemperatur på 175 °C
Fremragende omvendt genopretning
Lav gate-opladning
Relaterede links
- onsemi N-Kanal 29 A 1200 V Forbedring TO-247, NTH
- onsemi N-Kanal 44 A 1200 V Forbedring TO-247 AEC-Q101
- onsemi N-Kanal 31 A 1200 V Forbedring TO-247, NTH
- onsemi N-Kanal 58 A 1200 V Forbedring TO-247, NTH AEC-Q101
- onsemi N-Kanal 60 A 1200 V Forbedring TO-247, NVH AEC-Q101
- onsemi N-Kanal 34 A 1200 V Forbedring TO-247-3L, NVHL AEC-Q
- onsemi N-Kanal 58 A 1200 V Forbedring TO-247, NVH
- onsemi N-Kanal 102 A 1200 V Forbedring TO-247, NVH