Microchip Type N-Kanal, Enkelt MOSFET'er, 410 mA 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-39, 2N6660
- RS-varenummer:
- 649-369
- Producentens varenummer:
- 2N6660
- Brand:
- Microchip
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 144,44
(ekskl. moms)
Kr. 180,55
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 176 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 4 | Kr. 144,44 |
| 5 + | Kr. 140,10 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 649-369
- Producentens varenummer:
- 2N6660
- Brand:
- Microchip
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Microchip | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | Enkelt MOSFET'er | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 410mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | TO-39 | |
| Serie | 2N6660 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 5Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 6.25W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | Lead (Pb)-free/RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Microchip | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype Enkelt MOSFET'er | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 410mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype TO-39 | ||
Serie 2N6660 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 5Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 6.25W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser Lead (Pb)-free/RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- TH
Microchip N-kanal, forstærket tilstand (normalt slukket) transistor, der udnytter en vertikal DMOS-struktur og en velprøvet silicium-gate-fremstillingsproces. Denne com-binational producerer en enhed med strømhåndteringsmulighederne for bipolære transistorer og den høje indgangsimpedans og positive temperaturkoefficient, der er iboende i MOS-enheder. Denne enhed er karakteristisk for alle MOS-strukturer og er fri for termisk flugt og termisk induceret sekundær sammenbrud.
Fri for sekundær nedbrydning
Krav om lavt strømforbrug
Let at parallellisere
Lav ciss og hurtige skiftehastigheder
Fremragende termisk stabilitet
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 39 A 600 V Forbedring PowerFLAT, ST8L60
- Microchip Type N-Kanal 600 mA 60 V Forbedring TO-92, VN2106
- Microchip Type N-Kanal 115 mA 60 V Forbedring SOT-23, 2N7002
- Microchip Type N-Kanal 3.4 A 60 V Forbedring TO-92, TN0106
- Microchip Type N-Kanal 0.73 A 100 V Forbedring SOT-89, TN2510
- Microchip Type N-Kanal 250 mA 600 V Forbedring SOT-89, VN2460
- ROHM Type N-Kanal 3 Ben R4P AEC-Q101
- ROHM Type N-Kanal 3 Ben R2P AEC-Q101