Microchip Type N-Kanal, Enkelt MOSFET'er, 72 mA 350 V Udtømning, 3 Ben, SOT-89, DN3135 Nej DN3135N8-G
- RS-varenummer:
- 649-459P
- Producentens varenummer:
- DN3135N8-G
- Brand:
- Microchip
Der er mulighed for mængderabat
Indhold 50 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 240,90
(ekskl. moms)
Kr. 301,10
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 1.985 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 50 - 245 | Kr. 4,818 |
| 250 - 495 | Kr. 4,308 |
| 500 + | Kr. 3,86 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 649-459P
- Producentens varenummer:
- DN3135N8-G
- Brand:
- Microchip
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Microchip | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | Enkelt MOSFET'er | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 72mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 350V | |
| Emballagetype | SOT-89 | |
| Serie | DN3135 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 35Ω | |
| Kanalform | Udtømning | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.8V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | ±20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.3W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 1.3 mm | |
| Standarder/godkendelser | Lead (Pb)-free/RoHS | |
| Højde | 1.12mm | |
| Længde | 2.9mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Microchip | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype Enkelt MOSFET'er | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 72mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 350V | ||
Emballagetype SOT-89 | ||
Serie DN3135 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 35Ω | ||
Kanalform Udtømning | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.8V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. ±20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.3W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 1.3 mm | ||
Standarder/godkendelser Lead (Pb)-free/RoHS | ||
Højde 1.12mm | ||
Længde 2.9mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Microchip transistor med lav tærskel for udarmningstilstand (normalt tændt) udnytter en avanceret vertikal DMOS-struktur og en velprøvet siliciumgate-fremstillingsproces. Denne kombination frembringer en enhed med effekthåndteringsmulighederne for bipolære transistorer og med den høje indgangsimpedans og positive temperaturkoefficient, der er iboende i MOS-enheder. Denne enhed er karakteristisk for alle MOS-strukturer og er fri for termisk flugt og termisk induceret sekundær sammenbrud. Vertikale DMOS FET'er er ideelle til en bred vifte af koblings- og forstærkningsanvendelser, hvor høj nedbrydningsspænding, høj indgangsimpedans, lav indgangskapacitet og hurtige koblingshastigheder ønskes.
Høj indgangsimpedans
Lav indgangskapacitans
Hurtige skiftehastigheder
Lav modstand ved tændt
Fri for sekundær nedbrydning
Lav indgangs- og udgangslækage