Vishay Type P-Kanal, Enkelt MOSFET'er, -16 A -100 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK, SQS201CENW AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 653-189
- Producentens varenummer:
- SQS201CENW-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Indhold (1 bånd af 1 enhed)*
Kr. 7,93
(ekskl. moms)
Kr. 9,91
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
- 1.379 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 3.000 enhed(er) afsendes fra 25. september 2026
Bånd | Pr bånd |
|---|---|
| 1 - 24 | Kr. 7,93 |
| 25 - 99 | Kr. 7,63 |
| 100 - 499 | Kr. 7,48 |
| 500 - 999 | Kr. 6,36 |
| 1000 + | Kr. 5,98 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 653-189
- Producentens varenummer:
- SQS201CENW-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | Enkelt MOSFET'er | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | -16A | |
| Drain source spænding maks. Vds | -100V | |
| Serie | SQS201CENW | |
| Emballagetype | PowerPAK | |
| Monteringstype | Printmontering | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.0800Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 62.5W | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 26nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.1V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 3.30mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Længde | 3.30mm | |
| Højde | 0.41mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype Enkelt MOSFET'er | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id -16A | ||
Drain source spænding maks. Vds -100V | ||
Serie SQS201CENW | ||
Emballagetype PowerPAK | ||
Monteringstype Printmontering | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.0800Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 62.5W | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 26nC | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.1V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 3.30mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Længde 3.30mm | ||
Højde 0.41mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay SQS201CENW seriens enkelte MOSFET'er, -100 V maksimal drain source-spænding, -16 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - SQS201CENW-T1_GE3
Egenskaber og fordele:
Anvendelser
Hvilke gate-spændingsgrænser skal overholdes under designet?
Hvordan opfører enheden sig ved ekstreme temperaturer i praksis?
Hvilke pakkeovervejelser påvirker printkortlayout og køling?
Er der specifikke standarder, der påvirker udvælgelsen til brug i biler?
Relaterede links
- Vishay Type P-Kanal -16 A 100 V Forbedring PowerPAK, SQS201CENW AEC-Q101
- Vishay Type P-Kanal -232 A -40 V Forbedring PowerPAK, SQJ141ELP AEC-Q101
- Vishay Type P-Kanal -300 A -30 V Forbedring PowerPAK, SQJ131ELP AEC-Q101
- Vishay Type P-Kanal 6.9 A -40 V Forbedring PowerPAK, SQ3419CEV AEC-Q101
- Vishay Type P-Kanal -54.5 A 60 V Forbedring PowerPAK, SQJA61EP AEC-Q101
- Vishay Type P-Kanal 24 A -40 V Forbedring PowerPAK, SQJ443 AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 19.6 A 100 V Forbedring PowerPAK, SQJ190 AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 6 A 30 V Forbedring PowerPAK, SQ2310CES AEC-Q101
