Vishay Type N-Kanal, Enkelt MOSFET'er, 81 A 100 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK, SiR870BDP Nej SIR870BDP-T1-UE3
- RS-varenummer:
- 653-199
- Producentens varenummer:
- SIR870BDP-T1-UE3
- Brand:
- Vishay
Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 27.024,00
(ekskl. moms)
Kr. 33.780,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 6.000 enhed(er) afsendes fra 12. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | Kr. 9,008 | Kr. 27.024,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 653-199
- Producentens varenummer:
- SIR870BDP-T1-UE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | Enkelt MOSFET'er | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 81A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Serie | SiR870BDP | |
| Emballagetype | PowerPAK | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.0061Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 73nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 100W | |
| Portkildespænding maks. | ±20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 6.15mm | |
| Bredde | 5.15 mm | |
| Højde | 0.61mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype Enkelt MOSFET'er | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 81A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Serie SiR870BDP | ||
Emballagetype PowerPAK | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.0061Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 73nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 100W | ||
Portkildespænding maks. ±20 V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 6.15mm | ||
Bredde 5.15 mm | ||
Højde 0.61mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay N-kanals MOSFET er designet til højeffektiv omskiftning i kompakte strømforsyningssystemer. Den understøtter op til 100 V afløbs-kildespænding. Pakket i PowerPAK SO-8 udnytter den TrenchFET Gen IV-teknologi til at levere lav RDS(on), hurtig skifte og optimeret termisk ydeevne.
Pb-fri
Halogenfri
I overensstemmelse med RoHS
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 81 A 100 V Forbedring PowerPAK, SiR870BDP Nej
- Vishay Type N-Kanal 45.3 A 70 V Forbedring PowerPAK, SISS178LDN Nej SISS178LDN-T1-UE3
- Vishay Type N-Kanal 42.3 A 70 V Forbedring PowerPAK, SISS176LDN Nej SISS176LDN-T1-UE3
- Vishay Type N-Kanal 81 A 30 V Forbedring PowerPAK, SIRA12DDP Nej SIRA12DDP-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 81 A 30 V Forbedring PowerPAK, SIRA12DDP Nej
- Vishay Type N-Kanal 45.3 A 70 V Forbedring PowerPAK, SISS178LDN Nej
- Vishay Type N-Kanal 42.3 A 70 V Forbedring PowerPAK, SISS176LDN Nej
- Vishay Type N-Kanal 81 A 100 V Forbedring SO-8, SiR870BDP Nej SiR870BDP-T1-RE3