Vishay Type N-Kanal, Enkelt MOSFET'er, 81 A 100 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK, SiR870BDP
- RS-varenummer:
- 653-201
- Producentens varenummer:
- SIR870BDP-T1-UE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 bånd af 1 enhed)*
Kr. 18,03
(ekskl. moms)
Kr. 22,54
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 6.000 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Bånd | Pr bånd |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 18,03 |
| 10 - 24 | Kr. 17,58 |
| 25 - 99 | Kr. 17,05 |
| 100 - 499 | Kr. 14,66 |
| 500 + | Kr. 13,76 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 653-201
- Producentens varenummer:
- SIR870BDP-T1-UE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | Enkelt MOSFET'er | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 81A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | PowerPAK | |
| Serie | SiR870BDP | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.0061Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 73nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 100W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 6.15mm | |
| Højde | 0.61mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype Enkelt MOSFET'er | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 81A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype PowerPAK | ||
Serie SiR870BDP | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.0061Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 73nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 100W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 6.15mm | ||
Højde 0.61mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay N-kanals MOSFET er designet til højeffektiv omskiftning i kompakte strømforsyningssystemer. Den understøtter op til 100 V afløbs-kildespænding. Pakket i PowerPAK SO-8 udnytter den TrenchFET Gen IV-teknologi til at levere lav RDS(on), hurtig skifte og optimeret termisk ydeevne.
Pb-fri
Halogenfri
I overensstemmelse med RoHS
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 81 A 100 V Forbedring PowerPAK, SiR870BDP
- Vishay Type N-Kanal 81 A 30 V Forbedring PowerPAK, SIRA12DDP
- Vishay Type N-Kanal 42.3 A 70 V Forbedring PowerPAK, SISS176LDN
- Vishay Type N-Kanal 45.3 A 70 V Forbedring PowerPAK, SISS178LDN
- Vishay Type N-Kanal 81 A 100 V Forbedring SO-8, SiR870BDP
- Vishay Type N-Kanal 62.8 A 40 V Forbedring PowerPAK, SIS4406DN
- Vishay Dual N-Kanal 7.1 A 100 V Forbedring PowerPAK, SIS9122
- Vishay Type N-Kanal 680 A 30 V Forbedring PowerPAK, SIRS4300DP