Vishay Type N-Kanal, Enkelt MOSFET'er, 42.3 A 70 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK, SISS176LDN
- RS-varenummer:
- 653-099
- Producentens varenummer:
- SISS176LDN-T1-UE3
- Brand:
- Vishay
Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 9.555,00
(ekskl. moms)
Kr. 11.943,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 6.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | Kr. 3,185 | Kr. 9.555,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 653-099
- Producentens varenummer:
- SISS176LDN-T1-UE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | Enkelt MOSFET'er | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 42.3A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 70V | |
| Serie | SISS176LDN | |
| Emballagetype | PowerPAK | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.0125Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 39W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 9.2nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 3.30mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 0.41mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype Enkelt MOSFET'er | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 42.3A | ||
Drain source spænding maks. Vds 70V | ||
Serie SISS176LDN | ||
Emballagetype PowerPAK | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.0125Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 39W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 9.2nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 3.30mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 0.41mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay TrenchFET Gen IV N-kanals effekt MOSFET er mærket til 70 V afløbs-kildespænding og 42,3 A kontinuerlig afløbsstrøm. Den har et kompakt PowerPAK 1212-8S hus til overflademontering, hvilket gør den velegnet til DC/DC-konvertere, synkron ensretning, motorstyring og belastningsswitching.
Pb-fri
Halogenfri
I overensstemmelse med RoHS
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 42.3 A 70 V Forbedring PowerPAK, SISS176LDN
- Vishay Type N-Kanal 45.3 A 70 V Forbedring PowerPAK, SISS178LDN
- Vishay Type N-Kanal 81 A 100 V Forbedring PowerPAK, SiR870BDP
- Vishay Type N-Kanal 42.3 A 70 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 62.8 A 40 V Forbedring PowerPAK, SIS4406DN
- Vishay Dual N-Kanal 7.1 A 100 V Forbedring PowerPAK, SIS9122
- Vishay Type N-Kanal 680 A 30 V Forbedring PowerPAK, SIRS4300DP
- Vishay Type N-Kanal 5.9 A 100 V Forbedring PowerPAK, SIB4122DK