Vishay N-Kanal, Effekt MOSFET, 42.3 A 70 V N, 8 Ben, PowerPAK, TrenchFET AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 851-508
- Producentens varenummer:
- SISS176LDN-T1-BE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed, på en tape med 1)*
Kr. 13,09
(ekskl. moms)
Kr. 16,36
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 6.000 enhed(er) afsendes fra 01. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Bånd | Pr bånd |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 13,09 |
| 10 - 99 | Kr. 8,23 |
| 100 - 499 | Kr. 5,39 |
| 500 - 999 | Kr. 4,19 |
| 1000 + | Kr. 3,74 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 851-508
- Producentens varenummer:
- SISS176LDN-T1-BE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 42.3A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 70V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Emballagetype | PowerPAK | |
| Monteringstype | Overflademontering | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.0125Ω | |
| Kanalform | N | |
| Portkildespænding maks. | 12V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 39W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 12.6nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 5.25mm | |
| Længde | 6.05mm | |
| Standarder/godkendelser | AEC-Q101 Qualified | |
| Højde | 1.04mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 42.3A | ||
Drain source spænding maks. Vds 70V | ||
Serie TrenchFET | ||
Emballagetype PowerPAK | ||
Monteringstype Overflademontering | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.0125Ω | ||
Kanalform N | ||
Portkildespænding maks. 12V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 39W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 12.6nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 5.25mm | ||
Længde 6.05mm | ||
Standarder/godkendelser AEC-Q101 Qualified | ||
Højde 1.04mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- IL
Vishay N-kanal MOSFET giver høj effektivitet i strømstyring med en robust konstruktion, der understøtter forskellige elektriske krav i avancerede elektroniske anvendelser.
TrenchFET Gen IV-teknologi forbedrer ydeevnen
Meget lav R DS(on) ved forskellige gate-spændinger sikrer effektivitet
Omfattende test garanterer driftssikkerhed
Blyfri (Pb) og halogenfri sammensætning i overensstemmelse med miljøstandarder