Vishay N-Kanal, Effekt MOSFET, 20 A 250 V N, 8 Ben, PowerPAK, TrenchFET AEC-Q101

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 bånd af 1 enhed)*

Kr. 20,05

(ekskl. moms)

Kr. 25,06

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 05. november 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Bånd
Pr bånd
1 - 9Kr. 20,05
10 - 99Kr. 13,02
100 - 499Kr. 8,90
500 - 999Kr. 7,26
1000 +Kr. 6,73

*Vejledende pris

RS-varenummer:
851-504
Producentens varenummer:
SIR692DP-T1-BE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

N

Produkttype

Effekt MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

20A

Drain source spænding maks. Vds

250V

Emballagetype

PowerPAK

Serie

TrenchFET

Monteringstype

Overflademontering

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.067Ω

Kanalform

N

Portkildespænding maks.

20V

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

104W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

25.3nC

Driftstemperatur maks.

175°C

Længde

6.05mm

Højde

1.04mm

Standarder/godkendelser

AEC-Q101 Qualified

Bilindustristandarder

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
DE
Vishay højtydende MOSFET er designet til effektiv strømstyring i forskellige elektroniske systemer, hvilket sikrer pålidelighed og præcision i omskiftningsanvendelser.

Bruger ThunderFET-teknologi til optimal RDS(on), Qg, Qsw og Qoss-afbalancering

Garanteret 100 % Rg og UIS testet for øget pålidelighed

Understøtter en maksimal drain-source-spænding på 250 V

Minimal modstand ved tænding på 0,063 Ω ved VGS på 10 V sikrer lavt effekttab

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.