Vishay N-Kanal, Effekt MOSFET, 40 A 80 V N, 8 Ben, PowerPAK, TrenchFET AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 851-502
- Producentens varenummer:
- SIR178DP-T1-BE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 bånd af 1 enhed)*
Kr. 19,15
(ekskl. moms)
Kr. 23,94
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 15. marts 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Bånd | Pr bånd |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 19,15 |
| 10 - 99 | Kr. 12,27 |
| 100 - 499 | Kr. 8,45 |
| 500 - 999 | Kr. 7,18 |
| 1000 + | Kr. 6,58 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 851-502
- Producentens varenummer:
- SIR178DP-T1-BE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 40A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Emballagetype | PowerPAK | |
| Serie | TrenchFET | |
| Monteringstype | Overflademontering | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.0029Ω | |
| Kanalform | N | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 69.5nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 375W | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 1.04mm | |
| Længde | 6.05mm | |
| Standarder/godkendelser | AEC-Q101 Qualified | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 40A | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Emballagetype PowerPAK | ||
Serie TrenchFET | ||
Monteringstype Overflademontering | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.0029Ω | ||
Kanalform N | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 69.5nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 375W | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 1.04mm | ||
Længde 6.05mm | ||
Standarder/godkendelser AEC-Q101 Qualified | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- TW
Vishay højtydende N-kanal-effekt-MOSFET, der er designet til effektiv energistyring. Dens primære funktion er at optimere ledning med lavt effekttab, hvilket gør den velegnet til forskellige strømanvendelser.
TrenchFET Gen IV-teknologi sikrer fremragende ydeevne
Ekstremt lav on-state modstand minimerer ledningstab
Understøtter lavspændingsportdrev for forbedret effektivitet
Komplet testet for pålidelighed under R- og UIS-forhold
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 40 A 80 V N PowerPAK, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N-Kanal 45.3 A 70 V N PowerPAK, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N-Kanal 42.3 A 70 V N PowerPAK, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N-Kanal 20 A 250 V N PowerPAK, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N-Kanal 19 A 60 V N PowerPAK, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N-Kanal 100 A 60 V N PowerPAK, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N-Kanal -8 A -20 V P PowerPAK, SI34 AEC-Q101
- Vishay N-Kanal 116 A 80 V N PowerPAK, TrenchFET AEC-Q101