Vishay N-Kanal, Effekt MOSFET, 45.3 A 70 V N, 8 Ben, PowerPAK, TrenchFET AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 851-509
- Producentens varenummer:
- SISS178LDN-T1-BE3
- Brand:
- Vishay
STANDARD BILLEDE, SE DATABLAD
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed, på en tape med 1)*
Kr. 13,16
(ekskl. moms)
Kr. 16,45
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 6.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Bånd | Pr bånd |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 13,16 |
| 10 - 99 | Kr. 8,23 |
| 100 - 499 | Kr. 5,39 |
| 500 - 999 | Kr. 4,34 |
| 1000 + | Kr. 3,89 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 851-509
- Producentens varenummer:
- SISS178LDN-T1-BE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 45.3A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 70V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Emballagetype | PowerPAK | |
| Monteringstype | Overflademontering | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.013Ω | |
| Kanalform | N | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 18.7nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 39W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | AEC-Q101 Qualified | |
| Højde | 1.04mm | |
| Længde | 6.05mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 45.3A | ||
Drain source spænding maks. Vds 70V | ||
Serie TrenchFET | ||
Emballagetype PowerPAK | ||
Monteringstype Overflademontering | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.013Ω | ||
Kanalform N | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 18.7nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 39W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser AEC-Q101 Qualified | ||
Højde 1.04mm | ||
Længde 6.05mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- IL
Vishay N-kanal MOSFET giver høj effektivitet i strømstyring med en robust konstruktion, der understøtter forskellige elektriske krav i avancerede elektroniske anvendelser.
Mærket til en drain-kilde-spænding på 70 V, hvilket sikrer pålidelig ydeevne i forskellige anvendelser
Viser lav modstand ved tænding med maks. 0,0109 Ω ved 4,5 V, hvilket forbedrer energieffektiviteten
Designet til at håndtere kontinuerlige drænstrømme op til 42,3 A, understøtter højeffektsfunktioner
Indeholder en enkelt impulsavalanche-klassificering på 15 A, der beskytter mod spændingstransienter