Vishay N-Kanal, Effekt MOSFET, -8 A -20 V P, 8 Ben, PowerPAK, SI34 AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 851-500
- Producentens varenummer:
- SI3493DDV-T1-BE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 bånd af 1 enhed)*
Kr. 5,76
(ekskl. moms)
Kr. 7,20
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 28. oktober 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Bånd | Pr bånd |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 5,76 |
| 10 - 99 | Kr. 3,96 |
| 100 - 499 | Kr. 2,54 |
| 500 - 999 | Kr. 1,50 |
| 1000 + | Kr. 1,20 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 851-500
- Producentens varenummer:
- SI3493DDV-T1-BE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | -8A | |
| Drain source spænding maks. Vds | -20V | |
| Emballagetype | PowerPAK | |
| Serie | SI34 | |
| Monteringstype | Overflademontering | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.024Ω | |
| Kanalform | P | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 375W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 52.2nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 1.04mm | |
| Længde | 6.05mm | |
| Bredde | 5.25mm | |
| Standarder/godkendelser | AEC-Q101 Qualified | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id -8A | ||
Drain source spænding maks. Vds -20V | ||
Emballagetype PowerPAK | ||
Serie SI34 | ||
Monteringstype Overflademontering | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.024Ω | ||
Kanalform P | ||
Effektafsættelse maks. Pd 375W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 52.2nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 1.04mm | ||
Længde 6.05mm | ||
Bredde 5.25mm | ||
Standarder/godkendelser AEC-Q101 Qualified | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- DE
Vishay højtydende P-kanal MOSFET, der er designet til at muliggøre effektive strømkoblingsanvendelser. Dens funktioner sikrer pålidelig drift inden for varierende spændings- og strømområder.
P-kanal MOSFET fungerer effektivt ved -20 V med lav modstand i on-state
Kan håndtere pulserende drænstrømme op til -32 A til krævende anvendelser
Kontinuerlig mærkestrøm på -7,5 A ved 25 °C letter termisk styring
Gate-source spændingstolerance på ±8 V for øget holdbarhed i forskellige kredsløb