Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 21 A 650 V Udtømning, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12, E AEC-Q101 SIHK125N60E-T1-GE3

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 92,83

(ekskl. moms)

Kr. 116,038

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 2.050 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 18Kr. 46,415Kr. 92,83
20 - 48Kr. 43,61Kr. 87,22
50 - 98Kr. 39,455Kr. 78,91
100 - 198Kr. 37,175Kr. 74,35
200 +Kr. 34,82Kr. 69,64

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
239-8638
Producentens varenummer:
SIHK125N60E-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

21A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Emballagetype

PowerPAK 10 x 12

Serie

E

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.11Ω

Kanalform

Udtømning

Effektafsættelse maks. Pd

132W

Portkildespænding maks.

30 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

54nC

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

125°C

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Vishay E serien er power MOSFET med hurtig husdiode. Denne MOSFET, der bruges til server- og telekommunikationsstrømforsyning, svejsning og motordrev.

Generation af teknologi i E-serien

Lav effektiv kapacitet

Lavt skift og ledningstab

Relaterede links