Vishay Type N-Kanal, Effekt MOSFET, 21 A 650 V Udtømning, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12, E AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 239-8638
- Producentens varenummer:
- SIHK125N60E-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 81,16
(ekskl. moms)
Kr. 101,44
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 2.050 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 40,58 | Kr. 81,16 |
| 20 - 48 | Kr. 38,15 | Kr. 76,30 |
| 50 - 98 | Kr. 34,485 | Kr. 68,97 |
| 100 - 198 | Kr. 32,50 | Kr. 65,00 |
| 200 + | Kr. 30,445 | Kr. 60,89 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 239-8638
- Producentens varenummer:
- SIHK125N60E-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 21A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | PowerPAK 10 x 12 | |
| Serie | E | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.109Ω | |
| Kanalform | Udtømning | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 54nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 132W | |
| Driftstemperatur maks. | +150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 21A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype PowerPAK 10 x 12 | ||
Serie E | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.109Ω | ||
Kanalform Udtømning | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 54nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 132W | ||
Driftstemperatur maks. +150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Vishay seriens E-effekt MOSFET, 650 V drain-kildespænding, 21 A kontinuerlig drain-strøm - SIHK125N60E-T1-GE3
Denne effekt-MOSFET er en højspændings N-kanal-transistor, der er designet til krævende elektroniske og bilanvendelser. Den fungerer som en udtømningstilstandskontakt til styring af højspændingskredsløb og er velegnet til overflademontering i systemer, der kræver robust termisk og elektrisk ydeevne. Enheden fungerer over et bredt temperaturområde og er i overensstemmelse med kvalitetsstandarder for biler til brug i køretøjselektronik.
Egenskaber og fordele:
• 650 V drain-spænding, der muliggør omskiftning af højspændingssystemer • 21 A kontinuerlig afløbsstrøm til vedvarende belastningshåndtering • 0,109 Ω Rds(on) for reducerede ledningstab • 132 W effekttab understøtter forhøjede termiske belastninger • 54 nC typisk gate-ladning, der giver mulighed for forudsigelig koblingsenergi • ±30 V gate-tolerance for robust gate-drive-margen
Anvendelser
• Velegnet til strømkonvertering i biler og invertertrin • Ideel til frontender til højspændingsmotordrev • Anvendes til industriel automationshøjspænding • Kan bruges til strømforsyninger i elektriske systemer
Hvilket driftstemperaturområde kan jeg forvente for pålidelighed?
Enheden understøtter kontinuerlig drift fra -55 °C op til +150 °C, hvilket giver mulighed for brug i miljøer med bred termisk variation.
Hvordan påvirker pakken den termiske ydeevne på et printkort?
PowerPAK 10x12-pakken til overflademontering giver en sti med lav termisk modstand til kortet, hvilket hjælper med varmeoverførsel, når den loddes til passende printkortkobberområder.
Hvilke hensyn til gate-driver skal jeg tillade omskiftning?
Med en typisk gate-ladning på 54 nC og en maksimal gate-source-klassificering på ±30 V skal gate-drivere forsyne tilstrækkelig opladning og overholde spændingsgrænsen for at styre skiftehastigheden sikkert.
Er der industristandarder, der gælder for denne komponent?
Enheden opfylder AEC-Q101-kravene og er RoHS-kompatibel, hvilket justerer den med kriterier for valg af komponenter i bilkvalitet.
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 21 A 650 V Udtømning PowerPAK 10 x 12, E AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 19 A 650 V Udtømning PowerPAK 10 x 12 AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 37 A 60 V Udtømning PowerPAK (8x8L) AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 44.4 A 60 V Udtømning PowerPAK 1212-8PT AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 42.8 A 60 V Udtømning PowerPAK SO-8 AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 51 A 60 V Udtømning PowerPAK SO-8 AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 49.3 A 60 V Udtømning PowerPAK SO-8 AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 43.4 A 60 V Udtømning PowerPAK 1212-8 AEC-Q101
