Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 21 A 650 V Udtømning, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12, E AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 239-8637
- Producentens varenummer:
- SIHK125N60E-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Indhold (1 rulle af 2000 enheder)*
Kr. 34.324,00
(ekskl. moms)
Kr. 42.904,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 2.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 2000 + | Kr. 17,162 | Kr. 34.324,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 239-8637
- Producentens varenummer:
- SIHK125N60E-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 21A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | PowerPAK 10 x 12 | |
| Serie | E | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.11Ω | |
| Kanalform | Udtømning | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 132W | |
| Portkildespænding maks. | 30 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 54nC | |
| Driftstemperatur maks. | 125°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 21A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype PowerPAK 10 x 12 | ||
Serie E | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.11Ω | ||
Kanalform Udtømning | ||
Effektafsættelse maks. Pd 132W | ||
Portkildespænding maks. 30 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 54nC | ||
Driftstemperatur maks. 125°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Vishay E serien er power MOSFET med hurtig husdiode. Denne MOSFET, der bruges til server- og telekommunikationsstrømforsyning, svejsning og motordrev.
Generation af teknologi i E-serien
Lav effektiv kapacitet
Lavt skift og ledningstab
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 21 A 650 V PowerPAK 10 x 12 SIHK125N60E-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 48 A 650 V PowerPAK 10 x 12 SIHK045N60E-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 24 A 650 V PowerPAK 10 x 12 SIHK105N60E-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 42 A 650 V PowerPAK 10 x 12 SIHK055N60E-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 34 A 650 V PowerPAK 10 x 12 SIHK065N60E-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 21 A 100 V PowerPAK SO-8 SI7454DDP-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 32 A 650 V PowerPAK 8 x 8, E Series SiHH080N60E-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 25 A 40 V, PowerPAK ChipFET SI5448DU-T1-GE3
