Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 19 A 650 V Udtømning, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12 AEC-Q101 SIHK185N60E-T1-GE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 71,58

(ekskl. moms)

Kr. 89,48

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 2.050 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 18Kr. 35,79Kr. 71,58
20 - 48Kr. 33,625Kr. 67,25
50 - 98Kr. 30,37Kr. 60,74
100 - 198Kr. 28,65Kr. 57,30
200 +Kr. 26,855Kr. 53,71

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
252-0268
Producentens varenummer:
SIHK185N60E-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

19A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Emballagetype

PowerPAK 10 x 12

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.05mΩ

Kanalform

Udtømning

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

132W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

54nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

No

Længde

6.15mm

Bredde

5.15 mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Vishay Siliconix MOSFET-produktserien indeholder en bred vifte af avancerede teknologier. MOSFET'er er transistor-enheder, der styres af en kondensator. Feldeffekten betyder, at de styres af spænding.

4. generations E-seriens teknologi Lavt fortjensttal (FOM) Ron x Qg Lav effektiv kapacitet (Co(er)) Reduceret skifte- og ledningstab Avalanche Energy Rating (UIS) Kelvin-tilslutning for reduceret gate-støj

Relaterede links