Vishay N-Kanal, Effekt MOSFET, 19 A 650 V Udtømning, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12, E AEC-Q101

RS-varenummer:: 252-0267
Producentens varenummer:: SIHK185N60E-T1-GE3
Brand:: Vishay

Vishay N-Kanal, Effekt MOSFET, 19 A 650 V Udtømning, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12, E AEC-Q101

Indhold (1 rulle af 2000 enheder)*

Kr. 24.128,00

(ekskl. moms)

Kr. 30.160,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

Restlager hos RS

Sidste 2.000 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
2000 +	Kr. 12,064	Kr. 24.128,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 252-0267
Producentens varenummer:: SIHK185N60E-T1-GE3
Brand:: Vishay

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Vishay
	Kanaltype	N
	Produkttype	Effekt MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	19A
	Drain source spænding maks. Vds	650V
	Emballagetype	PowerPAK 10 x 12
	Serie	E
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	8
	Drain source modstand maks. Rds	0.16Ω
	Kanalform	Udtømning
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Portkildespænding maks.	20V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	33nC
	Effektafsættelse maks. Pd	114W
	Gennemgangsspænding Vf	1.2V
	Driftstemperatur maks.	+150°C
	Bredde	5.15mm
	Standarder/godkendelser	RoHS
	Længde	6.15mm
	Bilindustristandarder	AEC-Q101

	Vælg alle
	Brand Vishay
	Kanaltype N
	Produkttype Effekt MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 19A
	Drain source spænding maks. Vds 650V
	Emballagetype PowerPAK 10 x 12
	Serie E
	Monteringstype Overflade
	Benantal 8
	Drain source modstand maks. Rds 0.16Ω
	Kanalform Udtømning
	Min. driftstemperatur -55°C
	Portkildespænding maks. 20V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 33nC
	Effektafsættelse maks. Pd 114W
	Gennemgangsspænding Vf 1.2V
	Driftstemperatur maks. +150°C
	Bredde 5.15mm
	Standarder/godkendelser RoHS
	Længde 6.15mm
	Bilindustristandarder AEC-Q101

Datasheet - SIHK185N60E-T1-GE3

Vishay serie E Power MOSFET, 650 V drain-source spænding, 19 A kontinuerlig drain-strøm - SIHK185N60E-T1-GE3

Denne effekt-MOSFET er en højspændingstransistor, der er designet til overflademonterede anvendelser i krævende elektroniske systemer. Den fungerer som en N-kanal udtømningsenhed og er bygget til at fungere over et bredt omgivende område, hvilket gør den velegnet til industrielle og biler, hvor robust omskiftning ved høje spændinger er påkrævet.

Egenskaber og fordele:

• 650 V drain-kapacitet muliggør højspændingskoblingsanvendelser
• 19 A kontinuerlig drænstrøm understøtter betydelige belastningsstrømme
• 0.16 Ω Rds(on) reducerer ledningstab under drift
• 114 W effekttab muliggør håndtering af høj effekt i kompakte layouts
• 33 nC typisk gate-ladning giver mulighed for forudsigelig omskiftningsenergibudgettering
• ±20 V porttolerance bevarer portintegriteten under styretransienter

Anvendelser

• Velegnet til højspændingsstrin for strømkonvertering
• Ideel til elektroniske styremoduler til brug i biler, der kræver komponenter af bilkvalitet
• Anvendes til front-end-switching af motordrev i industrielt udstyr
• Kan bruges til switch-mode strømforsyninger i offline-omformere
• Nyttig i strømstyringskredsløb, der kræver overflademonterede løsninger

Hvilke termiske ekstremer kan den modstå under implementering?

Den er specificeret til drift ned til -55 °C og op til +150 °C, der passer til kraftige omgivelses- og samletemperaturer.

Hvordan er den pakket til printkortmontering?

Den leveres i en PowerPAK 10x12 overflademonteret pakke med otte ben for at lette printkortmontering med lav induktans.

Opfylder den kriterierne for bilkvalitet?

Enheden er i overensstemmelse med AEC-Q101-bilstandarden, hvilket angiver egnethed til køretøjselektroniksystemer.

Hvilken kanal og ledningstilstand bruger den?

Transistoren bruger en N-type kanal og fungerer i udtømningstilstand for sin skifteadfærd.