Vishay Type N-Kanal, Effekt MOSFET, 19 A 650 V Udtømning, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12, E AEC-Q101

RS-varenummer:: 252-0267
Producentens varenummer:: SIHK185N60E-T1-GE3
Brand:: Vishay

Vishay Type N-Kanal, Effekt MOSFET, 19 A 650 V Udtømning, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12, E AEC-Q101

Indhold (1 rulle af 2000 enheder)*

Kr. 24.128,00

(ekskl. moms)

Kr. 30.160,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

På lager

2.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
2000 +	Kr. 12,064	Kr. 24.128,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 252-0267
Producentens varenummer:: SIHK185N60E-T1-GE3
Brand:: Vishay

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Vishay
	Kanaltype	Type N
	Produkttype	Effekt MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	19A
	Drain source spænding maks. Vds	650V
	Emballagetype	PowerPAK 10 x 12
	Serie	E
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	8
	Drain source modstand maks. Rds	0.16Ω
	Kanalform	Udtømning
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Gennemgangsspænding Vf	1.2V
	Portkildespænding maks.	20V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	33nC
	Effektafsættelse maks. Pd	114W
	Driftstemperatur maks.	+150°C
	Bredde	5.15mm
	Standarder/godkendelser	RoHS
	Længde	6.15mm
	Bilindustristandarder	AEC-Q101

	Vælg alle
	Brand Vishay
	Kanaltype Type N
	Produkttype Effekt MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 19A
	Drain source spænding maks. Vds 650V
	Emballagetype PowerPAK 10 x 12
	Serie E
	Monteringstype Overflade
	Benantal 8
	Drain source modstand maks. Rds 0.16Ω
	Kanalform Udtømning
	Min. driftstemperatur -55°C
	Gennemgangsspænding Vf 1.2V
	Portkildespænding maks. 20V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 33nC
	Effektafsættelse maks. Pd 114W
	Driftstemperatur maks. +150°C
	Bredde 5.15mm
	Standarder/godkendelser RoHS
	Længde 6.15mm
	Bilindustristandarder AEC-Q101

Datasheet - SIHK185N60E-T1-GE3

Vishay seriens E-effekt MOSFET, 650 V maksimal drain-kildespænding, 19 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - SIHK185N60E-T1-GE3

Denne effekt-MOSFET er en højspændingsswitch-enhed til strømkonvertering og styring i krævende elektroniske systemer. Designet til overflademontering i kompakte enheder, fungerer den som en N-kanals transistor med udtømningstilstand og er velegnet til anvendelser, der kræver høj temperaturmodstand og robust spændingshåndtering.

Egenskaber og fordele:

• 650 V drain-klassificering muliggør højspændingskontaktkapacitet • 19 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter betydelig belastningshåndtering • 0,16 Ω Rds(on) minimerer ledningstab for forbedret effektivitet • 33 nC typisk gate-ladning giver mulighed for forudsigelig koblingsenergi • 114 W effekttab styrer termisk belastning i kompakte layouts • ±20 V porttolerance forenkler portdrevdesign og beskyttelse

Anvendelser

• Velegnet til højspændingsstrømforsyninger i industriel automatisering • Ideel til invertertrin i motorstyringssystemer • Anvendes til DC-DC-konvertering i kraftigt elektrisk udstyr • Kan bruges til switch-mode-funktioner i strømfordelingsmoduler

Hvilket driftstemperaturområde kan den modstå?

Den fungerer mellem -55 °C og +150 °C, hvilket muliggør brug i miljøer med bred termisk variation.

Hvilken hustype leveres til printkortintegration?

Enheden leveres i en PowerPAK 10 x 12-pakke til overflademontering med otte ben til kompakt montering.

Hvordan opfylder enheden behovene inden for biludvikling?

Den er i overensstemmelse med AEC-Q101-kvalifikation, der understøtter design, der kræver robusthed af komponenter i bilkvalitet.

Hvad er de fysiske fodaftryk?

Komponenten måler 6,15 mm i længden og 5,15 mm i bredden til pladsbevidste layouts.