Vishay Type N-Kanal, Effekt MOSFET, 32 A 650 V Forbedring, 4 Ben, PowerPAK, E

RS-varenummer:: 228-2871
Producentens varenummer:: SiHH080N60E-T1-GE3
Brand:: Vishay

Vishay Type N-Kanal, Effekt MOSFET, 32 A 650 V Forbedring, 4 Ben, PowerPAK, E

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 53.049,00

(ekskl. moms)

Kr. 66.312,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

Midlertidigt ikke på lager

Afsendelse fra 31. december 2026

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
3000 +	Kr. 17,683	Kr. 53.049,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 228-2871
Producentens varenummer:: SiHH080N60E-T1-GE3
Brand:: Vishay

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Vishay
	Produkttype	Effekt MOSFET
	Kanaltype	Type N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	32A
	Drain source spænding maks. Vds	650V
	Emballagetype	PowerPAK
	Serie	E
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	4
	Drain source modstand maks. Rds	70mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Gennemgangsspænding Vf	1.2V
	Portkildespænding maks.	30V
	Effektafsættelse maks. Pd	184W
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	42nC
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Standarder/godkendelser	RoHS
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Vishay
	Produkttype Effekt MOSFET
	Kanaltype Type N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 32A
	Drain source spænding maks. Vds 650V
	Emballagetype PowerPAK
	Serie E
	Monteringstype Overflade
	Benantal 4
	Drain source modstand maks. Rds 70mΩ
	Kanalform Forbedring
	Gennemgangsspænding Vf 1.2V
	Portkildespænding maks. 30V
	Effektafsættelse maks. Pd 184W
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 42nC
	Min. driftstemperatur -55°C
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Standarder/godkendelser RoHS
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet - SiHH080N60E-T1-GE3

Vishay seriens E-effekt MOSFET, 650 V drain-kildespænding, 32 A kontinuerlig drain-strøm - SiHH080N60E-T1-GE3

Denne effekt-MOSFET er en højspændings N-kanals koblingsenhed, der er designet til krævende strømkonverterings- og styringsopgaver. Den fungerer over et bredt temperaturområde og er beregnet til overflademonterede anvendelser, hvor der kræves kompakt, robust koblingsevne. Komponenten leverer en betydelig kontinuerlig strømkapacitet, samtidig med at den understøtter høje drain-til-kilde-spændinger til brug i industrielle og elektroniske effekttrin.

Egenskaber og fordele:

• 650 V drain-til-kilde-klassificering muliggør højspændingsswitching
• 32 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter vedvarende belastningshåndtering
• 70 mΩ Rds(on) reducerer ledningstab under drift
• 42 nC typisk gate-ladning forbedrer skiftehastighedsstyring
• 184 W effekttab giver mulighed for betydelig termisk gennemgang
• Maksimal driftstemperatur på 150 °C tåler høje samlinger

Anvendelser

• Velegnet til højspændings-switch-mode strømforsyninger
• Ideel til industrielle motordrev i frontender
• Anvendes til effektfaktorkorrektionstrin i konvertere
• Kan bruges til resonante og hårdt omskiftelige inverterben
• Anvendes sammen med diskrete transistorrækker i strømstyringsmoduler

Hvilket gate-spændingsområde er sikkert for styringskredsløb?

Porten kan drives op til 30 V i forhold til kilden

styringslogik bør forblive inden for denne grænse for at beskytte port-oxid.

Hvordan påvirker pakken termisk design på kortniveau?

PowerPAK-pakken til overflademontering med fire ben kræver termiske gennemføringer eller varmeafledning på printkortet for at sprede op til 184 W under specificerede forhold.

Hvilke miljømæssige ekstremer kan enheden modstå?

Den er normeret til kontinuerlig drift ned til -55 °C og op til 150 °C, hvilket giver mulighed for brug på tværs af brede omgivende og samletemperatursvingninger.

Hvilken type kanalledning giver enheden?

Det er en N-kanal-enhed med forstærkning, der leder, når en positiv gate-til-kilde-spænding påføres.