Vishay N-Kanal, Effekt MOSFET, 42 A 650 V Udtømning, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12, E AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 239-8636
- Producentens varenummer:
- SIHK055N60E-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 63,13
(ekskl. moms)
Kr. 78,91
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 2.050 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 63,13 |
| 10 - 24 | Kr. 59,32 |
| 25 - 49 | Kr. 53,71 |
| 50 - 99 | Kr. 50,42 |
| 100 + | Kr. 47,27 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 239-8636
- Producentens varenummer:
- SIHK055N60E-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 42A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | E | |
| Emballagetype | PowerPAK 10 x 12 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.056Ω | |
| Kanalform | Udtømning | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 54nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 236W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Driftstemperatur maks. | +150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 42A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie E | ||
Emballagetype PowerPAK 10 x 12 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.056Ω | ||
Kanalform Udtømning | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 54nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 236W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Driftstemperatur maks. +150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Vishay serie E Power MOSFET, 650 V drain source-spænding, 42 A kontinuerlig drain-strøm - SIHK055N60E-T1-GE3
Denne effekt-MOSFET er en højspændingstransistor, der er designet til krævende strømkonverterings- og bilstyringsmiljøer. Den fungerer over et udvidet omgivende område og tilbydes i en kompakt pakke til overflademontering, der er velegnet til enheder med høj tæthed, hvilket giver en balance mellem effekthåndtering og termisk kapacitet til industrielle og køretøjselektroniske systemer.
Egenskaber og fordele:
• 650 V-klassificering muliggør højspændingskoblingsanvendelser
• 42 A kontinuerlig strøm understøtter drift med kraftig belastning
• 0.056 Ω Rds(on) reducerer ledningstab
• 236 W effekttab muliggør vedvarende effektgennemstrømning
• 54 nC typisk gate-ladning minimerer koblingsenergi
• 30 V gate-tolerance sikrer robust drevmargen
• 42 A kontinuerlig strøm understøtter drift med kraftig belastning
• 0.056 Ω Rds(on) reducerer ledningstab
• 236 W effekttab muliggør vedvarende effektgennemstrømning
• 54 nC typisk gate-ladning minimerer koblingsenergi
• 30 V gate-tolerance sikrer robust drevmargen
Anvendelser
• Velegnet til effektafbrydere med trækkraftomformertrin
• Ideel til DC-DC-konverterudgange med høj spænding
• Anvendes sammen med motordrevstyreenheder i motorsystemer
• Kan bruges til omskiftning af industrielle strømforsyninger
• Velegnet til overflademonterede højeffektsenheder
• Ideel til DC-DC-konverterudgange med høj spænding
• Anvendes sammen med motordrevstyreenheder i motorsystemer
• Kan bruges til omskiftning af industrielle strømforsyninger
• Velegnet til overflademonterede højeffektsenheder
Hvilket termisk område kan jeg forvente, når jeg anvender denne enhed?
Den er specificeret til at fungere fra -55 °C op til +150 °C, hvilket muliggør drift under ekstreme omgivende og under kappen forhold.
Hvordan påvirker pakken montering og køling?
PowerPAK 10x12-formatet til overflademontering giver et lavprofilsaftryk, der letter termisk ledning af printkort og tætte kortlayouts.
Er denne enhed velegnet til bilprojekter med kvalifikationsbehov?
Den opfylder AEC-Q101-kravene, hvilket gør den anvendelig til mange køretøjselektronikkonstruktioner, der kræver komponenter i bilkvalitet.
Hvilke gate-drive-begrænsninger skal overholdes?
Den maksimale gate-til-kilde-spænding er 30 V, så gate-drive-kredsløb skal begrænse udgange inden for dette område for at forhindre belastning.
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 42 A 650 V Udtømning PowerPAK 10 x 12, E AEC-Q101
- Vishay N-Kanal 48 A 650 V Udtømning PowerPAK 10 x 12, E AEC-Q101
- Vishay N-Kanal 21 A 650 V Udtømning PowerPAK 10 x 12, E AEC-Q101
- Vishay N-Kanal 19 A 650 V Udtømning PowerPAK 10 x 12, E AEC-Q101
- Vishay N-Kanal 32 A 650 V Forbedring PowerPAK, E
- Vishay N-Kanal 42 A 600 V Forbedring PowerPAK 10 x 12, SiH
- Vishay N-Kanal 33 A 650 V Udtømning PowerPAK 10 x 12, EF AEC-Q101
- Vishay N-Kanal 40 A 650 V Udtømning PowerPAK 10 x 12, EF AEC-Q101