Vishay Type N-Kanal, MOSFET og Diode, 33 A 650 V Udtømning, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12 AEC-Q101 SIHK075N60EF-T1GE3
- RS-varenummer:
- 252-0266
- Producentens varenummer:
- SIHK075N60EF-T1GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 48,17
(ekskl. moms)
Kr. 60,21
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 2.050 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 48,17 |
| 10 - 24 | Kr. 45,25 |
| 25 - 49 | Kr. 40,99 |
| 50 - 99 | Kr. 38,52 |
| 100 + | Kr. 36,20 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 252-0266
- Producentens varenummer:
- SIHK075N60EF-T1GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET og Diode | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 33A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | PowerPAK 10 x 12 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.05mΩ | |
| Kanalform | Udtømning | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 132W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 54nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 6.15mm | |
| Bredde | 5.15 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET og Diode | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 33A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype PowerPAK 10 x 12 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.05mΩ | ||
Kanalform Udtømning | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 132W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 54nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 6.15mm | ||
Bredde 5.15 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Vishay Siliconix MOSFET-produktserien indeholder en bred vifte af avancerede teknologier. MOSFET'er er transistor-enheder, der styres af en kondensator. Feldeffekten betyder, at de styres af spænding.
4. generation af E-seriens teknologi Lavt fortjensttal (FOM) Ron x Qg Lav effektiv kapacitet (Co(er)) Reduceret skifte- og ledningstab med lavvandsenergimærke (UIS)
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 33 A 650 V Udtømning PowerPAK 10 x 12 AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 40 A 650 V Udtømning PowerPAK 10 x 12 AEC-Q101 SIHK055N60EF-T1GE3
- Vishay Type N-Kanal 40 A 650 V Udtømning PowerPAK 10 x 12 AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 26 A 650 V Udtømning PowerPAK 8 x 8 L, EF AEC-Q101 SiHH105N60EF-T1GE3
- Vishay Type N-Kanal 26 A 650 V Udtømning PowerPAK 8 x 8 L, EF AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 19 A 650 V Udtømning PowerPAK 10 x 12 AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 21 A 650 V Udtømning PowerPAK 10 x 12, E AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 19 A 650 V Udtømning PowerPAK 10 x 12 AEC-Q101 SIHK185N60E-T1-GE3