Vishay N-Kanal, Effekt MOSFET, 33 A 650 V Udtømning, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12, EF AEC-Q101

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 enhed)*

Kr. 53,56

(ekskl. moms)

Kr. 66,95

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 50 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
1 - 9Kr. 53,56
10 - 24Kr. 50,34
25 - 49Kr. 45,63
50 - 99Kr. 42,79
100 +Kr. 40,24

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
252-0266
Producentens varenummer:
SIHK075N60EF-T1GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

N

Produkttype

Effekt MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

33A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Emballagetype

PowerPAK 10 x 12

Serie

EF

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.061Ω

Kanalform

Udtømning

Portkildespænding maks.

20V

Effektafsættelse maks. Pd

192W

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

72nC

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Driftstemperatur maks.

+150°C

Længde

6.15mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Bredde

5.15mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Vishay EF seriens Power MOSFET, 650 V drain source spænding, 192 W effekttab - SIHK075N60EF-T1GE3


Denne effekt-MOSFET er en højspændings N-kanal-halvleder, der er designet til krævende koblings- og strømstyringsmiljøer. Den fungerer over et bredt temperaturområde og leveres i en lavprofils pakke til overflademontering, der er velegnet til kompakte enheder. Enheden er beregnet til anvendelser, der kræver betydelig kontinuerlig strømhåndtering og robust spændingsevne i begrænsede områder.

Egenskaber og fordele:


• 650 V drain-source mærkeværdi muliggør højspændingskontaktkapacitet
• 33 A kontinuerlig drænstrøm understøtter drift med kraftig belastning
• 0.061 Ω Rds(on) reducerer ledningstab under belastning
• 192 W maks. tab muliggør håndtering af høj effekt
• 72 nC typisk gate-ladning giver forudsigelig skifteadfærd
• AEC-Q101-kvalifikation understøtter termisk belastning i bilkvalitet

Anvendelser


• Velegnet til trækkraft- og højspændingselektronik i køretøjer
• Ideel til koblingstopologier med halv bro og fuld bro
• Anvendes sammen med isolerede gate-drivere i industrielle invertere
• Kan bruges til switch-mode-strømforsyninger op til høj spænding
• Velegnet til motordrevstrin i bilsystemer

Hvilket temperaturområde kan den modstå i barske miljøer?


Den er normeret til drift fra -55 °C op til +150 °C, hvilket giver mulighed for brug ved lavtemperaturstarter og høje driftsforhold.

Hvilket husformat bruger den til printkortmontering?


Enheden leveres i et PowerPAK 10x12 kabinet til overflademontering, der er designet til effektiv varmeoverførsel og kompakt placering af kortet.

Hvordan påvirker gate-spændingsgrænsen drevdesign?


Den maksimale gate-source-spænding er 20 V, så gate-drivere skal specificeres, så de forbliver inden for denne grænse for at forhindre overbelastning af porten.

Er den velegnet til RoHS-begrænsede enheder?


Komponenten er i overensstemmelse med RoHS-kravene, hvilket gør det muligt at inkludere i enheder, der kræver overholdelse af begrænsede stoffer.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.