Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 26 A 650 V Udtømning, 4 Ben, PowerPAK 8 x 8 L, EF AEC-Q101 SiHH105N60EF-T1GE3
- RS-varenummer:
- 239-8632
- Producentens varenummer:
- SiHH105N60EF-T1GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 54,38
(ekskl. moms)
Kr. 67,98
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 1.500 enhed(er) afsendes fra 19. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 54,38 |
| 10 - 49 | Kr. 51,16 |
| 50 - 99 | Kr. 46,23 |
| 100 - 249 | Kr. 43,46 |
| 250 + | Kr. 40,84 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 239-8632
- Producentens varenummer:
- SiHH105N60EF-T1GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 26A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | PowerPAK 8 x 8 L | |
| Serie | EF | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.09Ω | |
| Kanalform | Udtømning | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 174W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 33nC | |
| Portkildespænding maks. | 30 V | |
| Driftstemperatur maks. | 125°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 26A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype PowerPAK 8 x 8 L | ||
Serie EF | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.09Ω | ||
Kanalform Udtømning | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 174W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 33nC | ||
Portkildespænding maks. 30 V | ||
Driftstemperatur maks. 125°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Vishay EF-serien er power MOSFET med hurtig husdiode. Denne MOSFET, der bruges til server- og telekommunikationsstrømforsyning, svejsning og motordrev.
Generation af teknologi i E-serien
Lav effektiv kapacitet
Lavt skift og ledningstab
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 26 A 650 V Udtømning PowerPAK 8 x 8 L, EF AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 23 A 650 V Forbedring PowerPAK 8 x 8 L, EF Nej SIHH125N60EF-T1GE3
- Vishay Type N-Kanal 16 A 650 V Forbedring PowerPAK 8 x 8 L, EF Nej SIHH186N60EF-T1GE3
- Vishay Type N-Kanal 36 A 650 V Forbedring PowerPAK 8 x 8 L, EF Nej SIHH070N60EF-T1GE3
- Vishay Type N-Kanal 33 A 650 V Udtømning PowerPAK 10 x 12 AEC-Q101 SIHK075N60EF-T1GE3
- Vishay Type N-Kanal 40 A 650 V Udtømning PowerPAK 10 x 12 AEC-Q101 SIHK055N60EF-T1GE3
- Vishay Type N-Kanal 36 A 650 V Forbedring PowerPAK 8 x 8 L, EF Nej
- Vishay Type N-Kanal 23 A 650 V Forbedring PowerPAK 8 x 8 L, EF Nej