Vishay N-Kanal, Effekt MOSFET, 26 A 650 V Udtømning, 4 Ben, PowerPAK 8 x 8 L, EF AEC-Q101

RS-varenummer:: 239-8631
Producentens varenummer:: SiHH105N60EF-T1GE3
Brand:: Vishay

Vishay N-Kanal, Effekt MOSFET, 26 A 650 V Udtømning, 4 Ben, PowerPAK 8 x 8 L, EF AEC-Q101

Kan ikke leveres i øjeblikket

Beklager, men vi ved ikke, hvornår dette er på lager igen.

RS-varenummer:: 239-8631
Producentens varenummer:: SiHH105N60EF-T1GE3
Brand:: Vishay

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Vishay
	Kanaltype	N
	Produkttype	Effekt MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	26A
	Drain source spænding maks. Vds	650V
	Serie	EF
	Emballagetype	PowerPAK 8 x 8 L
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	4
	Drain source modstand maks. Rds	0.091Ω
	Kanalform	Udtømning
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	33nC
	Gennemgangsspænding Vf	1.2V
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Effektafsættelse maks. Pd	174W
	Portkildespænding maks.	30V
	Driftstemperatur maks.	+150°C
	Standarder/godkendelser	RoHS
	Bilindustristandarder	AEC-Q101

	Vælg alle
	Brand Vishay
	Kanaltype N
	Produkttype Effekt MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 26A
	Drain source spænding maks. Vds 650V
	Serie EF
	Emballagetype PowerPAK 8 x 8 L
	Monteringstype Overflade
	Benantal 4
	Drain source modstand maks. Rds 0.091Ω
	Kanalform Udtømning
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 33nC
	Gennemgangsspænding Vf 1.2V
	Min. driftstemperatur -55°C
	Effektafsættelse maks. Pd 174W
	Portkildespænding maks. 30V
	Driftstemperatur maks. +150°C
	Standarder/godkendelser RoHS
	Bilindustristandarder AEC-Q101

Datasheet - SiHH105N60EF-T1GE3

Vishay EF-serie Power MOSFET, 650 V maksimal drain source-spænding, 26 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - SiHH105N60EF-T1GE3

Denne effekt-MOSFET er en højspændingstransistor, der er designet til overflademonterede anvendelser i industrielle og bilmiljøer. Den fungerer over et bredt temperaturområde og er beregnet til kredsløb, der kræver robust højspændingsswitching med moderat kontinuerlig strømkapacitet og gate-drevkarakteristik.

Egenskaber og fordele:

• 650 V drain-source-klassificering muliggør højspændingsswitching
• 26 A kontinuerlig drænstrøm understøtter betydelige belastningsstrømme
• 0.091 Ω lav Rds(on) reducerer ledningstab
• 174 W effekttab muliggør vedvarende termisk belastning
• 33 nC typisk gate-ladning muliggør forudsigelige drevkrav
• 30 V nominel port-spænding understøtter almindelige port-drev-skemaer

Anvendelser

• Velegnet til højspændings DC-DC-konvertere i industrielle strømforsyninger
• Ideel til strømmoduler til biler, der opfylder AEC-Q101-kravene
• Anvendes til omskiftning på primær side i SMPS og invertere
• Kan bruges til motorstyringshalvbrotrin i elektrifiserede systemer
• Velegnet til robuste elektroniske enheder, der kræver overflademontering

Hvilket monteringsformat bruger den til kompakte samlinger?

Den leveres i et PowerPAK 8x8-format, der er designet til overflademontering for at lette tætte printkortlayouts og termisk kobling til kobberhældninger.

Hvordan fungerer den ved ekstreme temperaturer?

Den er specificeret til drift fra -55 °C op til +150 °C, så den kan fungere i krævende omgivelser og høje forbindelsesscenarier, når den afkøles korrekt.

Hvilke gate-drive-begrænsninger skal overholdes?

Enheden må ikke drives ud over en gate-source-spænding på 30 V, og typisk gate-ladning er 33 nC, hvilket informerer om spidsstrøm og drivervalg.

Er den velegnet til krav til bilkvalitet?

Enheden opfylder AEC-Q101-standarden for biler, hvilket gør den velegnet til elektroniske designs af køretøjskvalitet, der kræver denne kvalifikation.