Vishay Type N-Kanal, Enkelt MOSFET'er, 31 A 600 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK, EF
- RS-varenummer:
- 653-082
- Producentens varenummer:
- SIHR120N60EF-T1GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 bånd af 1 enhed)*
Kr. 42,56
(ekskl. moms)
Kr. 53,20
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 4.000 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Bånd | Pr bånd |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 42,56 |
| 10 - 49 | Kr. 41,21 |
| 50 - 99 | Kr. 40,02 |
| 100 + | Kr. 34,41 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 653-082
- Producentens varenummer:
- SIHR120N60EF-T1GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | Enkelt MOSFET'er | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 31A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Emballagetype | PowerPAK | |
| Serie | EF | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.125Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 45nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 278W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype Enkelt MOSFET'er | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 31A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Emballagetype PowerPAK | ||
Serie EF | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.125Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 45nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 278W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishays 4. generation E seriens effekt-MOSFET har en hurtig husdiode for forbedret skifteffektivitet. Den leverer et lavt fortjensttal (FOM), reduceret effektiv kapacitet og minimerede skifte- og ledningstab. Den er indkapslet i et PowerPAK 8x8LR hus og er velegnet til server-, telekommunikations-, belysnings-, industri- og solenergianvendelser.
Pb-fri
Halogenfri
I overensstemmelse med RoHS
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 31 A 600 V Forbedring PowerPAK, EF
- Vishay Type N-Kanal 38 A 600 V Forbedring PowerPAK, EF
- Vishay Type N-Kanal 21 A 600 V Forbedring TO-263, EF
- Vishay Type N-Kanal 38 A 600 V Forbedring PowerPAK, E
- Vishay Type N-Kanal 51 A 600 V Forbedring PowerPAK, SIHM080N60E
- Vishay Type N-Kanal 32 A 600 V Forbedring PowerPAK, E
- Vishay Type N-Kanal 23 A 650 V Forbedring PowerPAK 8 x 8 L, EF
- Vishay Type N-Kanal 16 A 650 V Forbedring PowerPAK 8 x 8 L, EF