Vishay N-Kanal, Effekt MOSFET, 38 A 600 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK, EF

RS-varenummer:: 653-077
Producentens varenummer:: SIHR100N60EF-T1GE3
Brand:: Vishay

Vishay N-Kanal, Effekt MOSFET, 38 A 600 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK, EF

Indhold (3000 enheder, på en rulle med 3000)*

Kr. 72.435,00

(ekskl. moms)

Kr. 90.543,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

På lager

3.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
3000 +	Kr. 24,145	Kr. 72.435,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 653-077
Producentens varenummer:: SIHR100N60EF-T1GE3
Brand:: Vishay

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Vishay
	Produkttype	Effekt MOSFET
	Kanaltype	N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	38A
	Drain source spænding maks. Vds	600V
	Serie	EF
	Emballagetype	PowerPAK
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	8
	Drain source modstand maks. Rds	0.108Ω
	Kanalform	Forbedring
	Gennemgangsspænding Vf	1.2V
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Effektafsættelse maks. Pd	347W
	Portkildespænding maks.	30V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	35nC
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Bredde	8mm
	Længde	10.42mm
	Standarder/godkendelser	RoHS
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Vishay
	Produkttype Effekt MOSFET
	Kanaltype N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 38A
	Drain source spænding maks. Vds 600V
	Serie EF
	Emballagetype PowerPAK
	Monteringstype Overflade
	Benantal 8
	Drain source modstand maks. Rds 0.108Ω
	Kanalform Forbedring
	Gennemgangsspænding Vf 1.2V
	Min. driftstemperatur -55°C
	Effektafsættelse maks. Pd 347W
	Portkildespænding maks. 30V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 35nC
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Bredde 8mm
	Længde 10.42mm
	Standarder/godkendelser RoHS
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet - SIHR100N60EF-T1GE3

COO (Country of Origin):: CN

Vishay EF seriens Power MOSFET, 600 V drain source spænding, 38 A maksimal kontinuerlig drain strøm - SIHR100N60EF-T1GE3

Denne effekt-MOSFET er en højspændings N-kanalskontakt, der er designet til overflademonteret strømkonvertering og omskiftningsanvendelser. Den fungerer inden for et bredt temperaturområde, der er velegnet til krævende industrielle miljøer og er beregnet til brug, hvor der kræves robust drain-kildespændingshåndtering og forøget effekttab. Komponenten leveres i en PowerPAK-pakke med lav profil for at understøtte kompakte kortlayouts og effektiv termisk styring.

Egenskaber og fordele:

• 600 V maks. Vds leverer højspændingskontaktkapacitet • 38 A kontinuerlig afløbsstrøm muliggør betydelig belastningshåndtering • 0,108 Ω Rds(on) minimerer ledningstab ved nominel strøm • 347 W maksimal Pd understøtter høje effekttabskrav • 35 nC typisk gate-opladning hjælper med effektiv omskiftning

Anvendelser

• Velegnet til højspændings-switch-mode strømforsyninger • Ideel til industrielle motordrev invertertrin • Anvendes til effektfaktorkorrektionskredsløb i AC-systemer • Kan bruges til DC-DC-konvertere i automatiseringsudstyr • Velegnet til højspændingsswitching i strømfordelingsenheder

Hvilke grænser skal jeg overholde for gate-drivspænding?

Gate-kilde-spændingen må ikke overstige 30 V for at forhindre dielektrisk gate-belastning.

Hvordan relaterer termisk holdbarhed til driftsgrænser?

Enheden er mærket til drift op til 150 °C samletemperatur, hvilket giver mulighed for kontinuerlig drift under høje termiske forhold med passende printkøling.

Hvad er det acceptable omgivelsestemperaturområde for implementering?

Den understøtter drift ned til -55 °C, hvilket gør den velegnet til industrielle miljøer med lav temperatur.

Hvor mange ben giver pakken til korttilslutning?

Komponenten bruger en 8-benet konfiguration i PowerPAK-pakken til overflademontering.

Er dette beregnet til bilkvalifikation?

Det er ikke specificeret som opfyldelse af godkendelser af bilstandarder.