Vishay N-kanal-Kanal, MOSFET, 33 A 600 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12, SiH
- RS-varenummer:
- 735-159
- Producentens varenummer:
- SiHK075N60EF
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 59,69
(ekskl. moms)
Kr. 74,61
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 28. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 59,69 |
| 10 - 49 | Kr. 36,95 |
| 50 - 99 | Kr. 28,65 |
| 100 + | Kr. 21,09 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 735-159
- Producentens varenummer:
- SiHK075N60EF
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | N-kanal | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 33A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Serie | SiH | |
| Emballagetype | PowerPAK 10 x 12 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.061Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 600V | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 48nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 192W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 2mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Længde | 13mm | |
| Bredde | 10mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype N-kanal | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 33A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Serie SiH | ||
Emballagetype PowerPAK 10 x 12 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.061Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 600V | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 48nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 192W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 2mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Længde 13mm | ||
Bredde 10mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- IL
Vishay N-Channel MOSFET er mærket til 60 V drain-source-spænding, optimeret til højeffektiv omskiftning i AI-strømservere DC/DC-konvertere og synkrone ensretningskredsløb. Den opnår meget lav modstand ved tænding på maks. 1,7 mΩ ved 10 V portdrev for minimale ledningstab i anvendelser med høj strøm
94 A kontinuerlig drain-strøm ved TA=25 °C
54,3 nC typisk samlet gate-ladning for hurtig omskiftning
-55 °C til +175 °C udvidet samletemperaturområde
Relaterede links
- Vishay N-kanal-Kanal 47 A 600 V Forbedring PowerPAK 10 x 12, SiH
- Vishay N-kanal-Kanal 42 A 600 V Forbedring PowerPAK 10 x 12, SiH
- Vishay N-kanal-Kanal 40 A 600 V Forbedring PowerPAK 10 x 12, SiH
- Vishay Type N-Kanal 18 A 600 V Forbedring PowerPAK 8 x 8 L, SIHH
- Vishay Type N-Kanal 19 A 600 V Forbedring PowerPAK 8 x 8 L, SIHH
- Vishay N-kanal-Kanal 36 A 650 V Forbedring PowerPAK SO-8, SiH
- Vishay N-kanal-Kanal 34 A 650 V Forbedring PowerPAK SO-8, SiH
- Vishay N-kanal-Kanal 48 A 650 V Forbedring PowerPAK SO-8, SiH